| 摘要 | 第8-13页 |
| ABSTRACT | 第13-18页 |
| 符号表 | 第19-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-28页 |
| 1-1 课题研究的背景及意义 | 第21-26页 |
| 1-1-1 GaN基材料的特性与优势 | 第21-22页 |
| 1-1-2 常规GaN基场效应晶体管器件的研究进展 | 第22-23页 |
| 1-1-3 GaN基双异质结场效应晶体管器件的研究进展及研究意义 | 第23-26页 |
| 1-2 本论文的研究内容与安排 | 第26-28页 |
| 第二章 器件的制备与测试 | 第28-45页 |
| 2-1 材料的生长 | 第28-32页 |
| 2-1-1 衬底材料的选择 | 第28-29页 |
| 2-1-2 外延生长 | 第29-32页 |
| 2-2 器件制备 | 第32-35页 |
| 2-2-1 表面清洗工艺 | 第32页 |
| 2-2-2 图形曝光与光刻工艺 | 第32-33页 |
| 2-2-3 台面隔离工艺 | 第33-34页 |
| 2-2-4 欧姆接触工艺 | 第34-35页 |
| 2-2-5 肖特基接触工艺 | 第35页 |
| 2-3 AlGN/GaN异质结材料及器件测试 | 第35-39页 |
| 2-4 AlGaN/GaN HFETs的工作原理 | 第39-45页 |
| 2-4-1 AlGaN/GaN HFETs中2DEG的形成 | 第39-43页 |
| 2-4-2 AlGaN/GaN HFETs器件的工作机理 | 第43-45页 |
| 第三章 极化库仑场散射对AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs载流子迁移率的影响研究 | 第45-69页 |
| 3-1 GaN基HFETs器件的散射机制 | 第46-50页 |
| 3-2 GaN基HFETs载流子迁移率计算 | 第50-54页 |
| 3-3 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs器件的载流子迁移率 | 第54-59页 |
| 3-4 AlGaN/GaN HFETs器件的载流子迁移率 | 第59-63页 |
| 3-5 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs与AlGaN/GaN HFETs器件载流子迁移率对比研究 | 第63-69页 |
| 第四章 极化库仑场散射对AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs栅源通道电阻特性的影响研究 | 第69-82页 |
| 4-1 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs器件的栅源通道电阻特性 | 第70-76页 |
| 4-2 AlGaN/GaN HFETs器件的栅源通道电阻特性 | 第76-79页 |
| 4-3 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs与AlGaN/GaN HFETs器件栅源通道电阻特性对比研究 | 第79-82页 |
| 第五章 极化库仑场散射对AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs跨导特性的影响研究 | 第82-89页 |
| 5-1 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs器件的跨导特性 | 第83-86页 |
| 5-2 AlGaN/GaN HFETs器件的跨导特性 | 第86-87页 |
| 5-3 AlGaN/GaN/AlGaN/GaN DHFETs与AlGaN/GaN HFETs器件跨导特性对研究 | 第87-89页 |
| 第六章 结论 | 第89-95页 |
| 参考文献 | 第95-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第101页 |
