| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-20页 |
| 1.1 概述 | 第13-15页 |
| 1.2 Cu_2O的基本性质 | 第15-16页 |
| 1.3 Cu_2O薄膜的研究背景 | 第16-18页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第18-20页 |
| 第二章 实验设备 | 第20-24页 |
| 2.1 脉冲激光沉积法 | 第20-22页 |
| 2.2 射频磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.3 电子束蒸发 | 第23-24页 |
| 第三章 PLD法生长Cu_2O薄膜的工艺探索 | 第24-32页 |
| 3.1 液滴在空间上的分布 | 第24-28页 |
| 3.2 靶衬间距对于液滴现象的影响 | 第28-29页 |
| 3.3 激光能量密度对于Cu_2O薄膜的影响 | 第29-32页 |
| 第四章 MgO (110)衬底上高质量单晶Cu_2O薄膜的制备及性质研究 | 第32-43页 |
| 4.1 MgO (110)衬底上Cu_2O薄膜的制备 | 第32-33页 |
| 4.2 氧气压强对MgO (110)衬底上Cu_2O薄膜的结构和形貌的影响 | 第33-38页 |
| 4.3 单晶Cu_2O薄膜的晶体结构和成分分析 | 第38-39页 |
| 4.4 氧气压强对MgO (110)衬底上Cu_2O薄膜光学性质的影响 | 第39-41页 |
| 4.5 氧气压强对MgO (110)衬底上Cu_2O薄膜电学特性的影响 | 第41-43页 |
| 第五章 YSZ (100)衬底上多重畴结构Cu_2O外延薄膜的制备和性质研究 | 第43-53页 |
| 5.1 YSZ (100)衬底上Cu_2O薄膜的制备 | 第43-44页 |
| 5.2 氧气压强对YSZ (100)衬底上Cu_2O薄膜物相、结构和形貌的影响 | 第44-50页 |
| 5.3 氧气压强对YSZ (100)衬底上Cu_2O薄膜电学性质的影响 | 第50-51页 |
| 5.4 氧气压强对YSZ (100)衬底上Cu_2O薄膜光学性质的影响 | 第51-53页 |
| 第六章 基于氧化亚铜的薄膜晶体管 | 第53-59页 |
| 6.1 薄膜晶体管的结构和工作原理 | 第53-55页 |
| 6.1.1 薄膜晶体管的器件结构 | 第53-54页 |
| 6.1.2 薄膜晶体管的工作原理 | 第54-55页 |
| 6.2 Cu_2O薄膜晶体管 | 第55-59页 |
| 6.2.1 Cu_2O薄膜晶体管的制备和特性 | 第55-57页 |
| 6.2.2 N_2等离子体处理对Cu_2O薄膜晶体管的影响 | 第57-59页 |
| 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文情况 | 第70-71页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第71页 |
