| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·GaN 基HEMT 器件存在的问题 | 第7-10页 |
| ·GaN 材料在微波功率器件方面的优势 | 第7-8页 |
| ·GaN 基HEMT 器件的发展及其存在的问题 | 第8-10页 |
| ·MIS-HEMT 器件的发展 | 第10-12页 |
| ·MIS-HEMT 器件研究进展 | 第10-11页 |
| ·原位生长介质层的提出及其优点 | 第11-12页 |
| ·本文的安排 | 第12-15页 |
| 第二章 原位生长介质材料与器件工艺的研究 | 第15-25页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结材料中的极化效应和2DEG 的来源 | 第15-17页 |
| ·原位生长介质材料的分析 | 第17-21页 |
| ·原位生长低温AlN 介质材料性能分析 | 第18-20页 |
| ·原位生长高温AlN 介质层材料性能分析 | 第20-21页 |
| ·器件制作的工艺流程 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-25页 |
| 第三章 原位生长介质层MIS-HEMT 器件性能分析 | 第25-45页 |
| ·器件的工作机理 | 第25-26页 |
| ·器件的直流特性 | 第25-26页 |
| ·器件的频率特性 | 第26页 |
| ·原位生长介质层器件的直流特性 | 第26-32页 |
| ·低温AlN 介质层器件的直流特性 | 第26-29页 |
| ·高温AlN 介质层器件的直流特性 | 第29-31页 |
| ·高温AlN 介质层器件的频率特性 | 第31-32页 |
| ·高温AlN 介质层器件的抑制电流崩塌特性 | 第32-36页 |
| ·高温AlN 介质层器件的电学可靠性分析 | 第36-43页 |
| ·开态应力分析 | 第36-38页 |
| ·关态应力分析 | 第38-41页 |
| ·半开态应力分析 | 第41-43页 |
| ·本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 HT-AlN MIS-HEMT 器件的改进 | 第45-57页 |
| ·高温AlN 介质材料的氧化处理 | 第45-46页 |
| ·氧化处理后器件性能分析 | 第46-51页 |
| ·直流特性分析 | 第46-49页 |
| ·器件的抑制电流崩塌特性的分析 | 第49-51页 |
| ·氧化处理后器件电学可靠性分析 | 第51-56页 |
| ·MIS-HEMT 器件的开态应力分析 | 第51-54页 |
| ·MIS-HEMT 器件的关态应力分析 | 第54-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
