| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-23页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3 论文主要研究内容及安排 | 第21-23页 |
| 第二章 HPM技术与电子系统的HPM效应概述 | 第23-33页 |
| 2.1 高功率微波技术 | 第23-28页 |
| 2.1.1 高功率微波源及产生技术 | 第23-26页 |
| 2.1.2 高功率微波发射及传输技术 | 第26-27页 |
| 2.1.3 高功率微波效应 | 第27-28页 |
| 2.2 电子系统的HPM效应 | 第28-32页 |
| 2.2.1 HPM作用通道 | 第28-29页 |
| 2.2.2 电子系统和元器件典型HPM失效机理 | 第29-31页 |
| 2.2.3 防护技术 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 CMOS反相器HPM损伤效应研究 | 第33-53页 |
| 3.1 CMOS反相器HPM仿真模型构建 | 第33-43页 |
| 3.1.1 仿真工具简介 | 第33-34页 |
| 3.1.2 数值计算模型 | 第34-40页 |
| 3.1.3 HPM信号模型 | 第40-42页 |
| 3.1.4 器件模型 | 第42-43页 |
| 3.2 CMOS反相器HPM温度模型构建 | 第43-46页 |
| 3.3 CMOS反相器HPM温度模型验证 | 第46-51页 |
| 3.3.1 器件温度变化过程 | 第46-48页 |
| 3.3.2 微波脉宽及频率对温度的影响 | 第48-50页 |
| 3.3.3 烧毁阈值变化规律 | 第50-51页 |
| 3.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 第四章 CMOS反相器HPM扰乱效应研究 | 第53-71页 |
| 4.1 CMOS反相器HPM扰乱效应机理 | 第53-56页 |
| 4.2 重复脉冲下的HPM扰乱特性 | 第56-60页 |
| 4.2.1 微波占空比对HPM扰乱特性的影响 | 第56-58页 |
| 4.2.2 脉冲重频对HPM扰乱特性的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 工艺阱深对HPM扰乱特性的影响 | 第60-61页 |
| 4.4 电源电压对HPM扰乱特性的影响及闩锁延迟效应 | 第61-64页 |
| 4.5 HPM扰乱效应行为级建模 | 第64-69页 |
| 4.5.1 Verilog-A语言简介 | 第64-65页 |
| 4.5.2 HPM扰乱效应行为级建模 | 第65-69页 |
| 4.6 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 5.1 全文总结 | 第71-72页 |
| 5.2 研究展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-79页 |
| 致谢 | 第79-81页 |
| 作者简介 | 第81-82页 |