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SiC MOSFETs驱动技术研究

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
目录第8-10页
1 引言第10-16页
    1.1 课题研究背景及意义第10-12页
    1.2 国内外研究现状第12-14页
    1.3 本文研究内容第14-16页
2 驱动电路研究与设计第16-28页
    2.1 SiC MOSFET驱动特性分析第16-20页
    2.2 电源电路设计第20-22页
    2.3 隔离方式比较与选择第22-23页
    2.4 Buffer分析与设计第23-26页
    2.5 本章小结第26-28页
3 过流保护电路研究与设计第28-40页
    3.1 过流检测电路第28-32页
        3.1.1 去饱和检测第29-30页
        3.1.2 电感检测第30-32页
    3.2 逻辑处理与执行电路第32-34页
    3.3 过流保护电路仿真分析第34-39页
        3.3.1 去饱和检测电路第34-36页
        3.3.2 电感检测的过流保护电路第36-39页
    3.4 本章小结第39-40页
4 驱动电路实验验证第40-62页
    4.1 驱动电路弱电实验第40-43页
    4.2 双脉冲测试电路实验第43-52页
        4.2.1 双脉冲测试电路原理第43-45页
        4.2.2 实验条件第45-46页
        4.2.3 实验结果及分析第46-52页
    4.3 过流保护电路实验第52-55页
        4.3.1 实验条件第52页
        4.3.2 实验结果及分析第52-55页
    4.4 驱动电路优化设计第55-59页
        4.4.1 电路优化设计与实验第55-57页
        4.4.2 实验结果对比第57-59页
    4.5 本章小结第59-62页
5 总结与展望第62-64页
    5.1 本文工作总结第62页
    5.2 工作展望第62-64页
参考文献第64-68页
作者简历第68-72页
学位论文数据集第72页

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