| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·本论文的研究背景 | 第7-8页 |
| ·高 k 栅介质研究意义 | 第8-10页 |
| ·新型高 k 栅介质研究进展 | 第10-13页 |
| ·氮化物 | 第11页 |
| ·金属氧化物 | 第11-12页 |
| ·堆栈结构 | 第12页 |
| ·伪二元合金 | 第12-13页 |
| ·本论文的研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 高 k 栅 NdAlO_3/SiO_2的制备 | 第15-29页 |
| ·原子层淀积技术 | 第15-22页 |
| ·ALD 的基本原理 | 第16-17页 |
| ·ALD 的基本特点 | 第17-19页 |
| ·ALD 对反应前驱体的要求 | 第19-21页 |
| ·ALD 对反应温度的要求 | 第21-22页 |
| ·NdAlO_3/SiO_2材料的制备 | 第22-27页 |
| ·ALD 生长稀土金属氧化物 | 第22-23页 |
| ·反应源的选择 | 第23-24页 |
| ·制备的工艺流程 | 第24-27页 |
| ·小结 | 第27-29页 |
| 第三章 C-V 法表征栅介质质量 | 第29-47页 |
| ·理想 MIS 结构 C-V 曲线 | 第29-34页 |
| ·非理想 MIS 结构 C-V 曲线 | 第34-41页 |
| ·金属-半导体功函数差 | 第34-35页 |
| ·栅介质缺陷对 C-V 曲线的影响 | 第35-41页 |
| ·C-V 曲线评价 NdAlO_3/SiO_2栅介质质量 | 第41-46页 |
| ·实验样品及其标准曲线 | 第41-43页 |
| ·氧化层陷阱电荷密度的计算 | 第43-44页 |
| ·固定氧化层电荷密度的计算 | 第44-45页 |
| ·界面态密度的计算 | 第45-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 NdAlO_3/SiO_2堆栈栅性能分析 | 第47-65页 |
| ·栅介质泄漏电流的输运机制 | 第47-52页 |
| ·直接隧穿 | 第48-49页 |
| ·Fowler-Nordheim 隧穿 | 第49-51页 |
| ·Schottky 发射 | 第51页 |
| ·Frenkel-Poole 发射 | 第51-52页 |
| ·NdAlO_3/SiO_2堆栈栅结构的基本特性 | 第52-57页 |
| ·栅漏电流的测试设备 | 第52-53页 |
| ·NdAlO_3/SiO_2堆栈栅 MIS 结构样品 | 第53-55页 |
| ·NdAlO_3/SiO_2堆栈栅的 I-V 特性 | 第55-57页 |
| ·温度对栅泄漏电流的影响 | 第57-61页 |
| ·应力对栅泄漏电流的影响 | 第61-64页 |
| ·小结 | 第64-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-69页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第75-76页 |
