基于4H-SiC的缓变基区BJT外延工艺研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC 材料优点 | 第7-9页 |
| ·碳化硅材料的发展现状 | 第9-11页 |
| ·体材料制备工艺发展 | 第9-10页 |
| ·衬底材料的发展现状 | 第10-11页 |
| ·4H-SiC BJT 的研究 | 第11-13页 |
| ·4H-SiC BJT 优势 | 第11页 |
| ·4H-SiC BJT 的研究现状及存在问题 | 第11-13页 |
| 本论文的主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 碳化硅 BJT 器件的模型参数研究 | 第15-23页 |
| ·碳化硅 BJT 器件结构 | 第15-16页 |
| ·禁带宽度、杂质能级相关模型参数 | 第16-17页 |
| ·禁带变窄的效应 | 第16页 |
| ·杂质的不完全电离效应 | 第16-17页 |
| ·载流子相关模型参数 | 第17-20页 |
| ·载流子迁移率模型 | 第17-18页 |
| ·非平衡载流子产生复合模型 | 第18-20页 |
| ·陷阱能级相关模型参数 | 第20-22页 |
| ·陷阱模型 | 第20-21页 |
| ·界面陷阱对器件增益的影响 | 第21-22页 |
| 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 BJT 器件的缓变基区掺杂分布的设计 | 第23-31页 |
| ·缓变基区的理论分析 | 第23页 |
| ·缓变基区对 BJT 特性的影响 | 第23-28页 |
| ·缓变基区对电流增益的影响 | 第24页 |
| ·缓变基区对输出特性的影响 | 第24-25页 |
| ·缓变基区对截止频率的影响 | 第25-26页 |
| ·缓变基区对开关时间的影响 | 第26-28页 |
| ·基区掺杂分布的设计 | 第28-29页 |
| 本章小结 | 第29-31页 |
| 第四章 碳化硅 BJT 外延生长工艺研究 | 第31-43页 |
| ·CVD 外延工艺介绍 | 第31-32页 |
| ·外延生长的主要参数 | 第32-36页 |
| ·载流气体和反应前导物 | 第32-33页 |
| ·衬底偏角 | 第33页 |
| ·原位刻蚀 | 第33-34页 |
| ·生长温度 | 第34页 |
| ·反应室气压 | 第34-35页 |
| ·C/Si 比 | 第35-36页 |
| ·Si/H 比 | 第36页 |
| ·外延生长中相关的缺陷研究 | 第36-39页 |
| ·点缺陷 | 第36-37页 |
| ·三角缺陷 | 第37-38页 |
| ·台阶聚簇 | 第38页 |
| ·位错缺陷 | 第38-39页 |
| ·BJT 外延生长中的掺杂控制 | 第39-42页 |
| 本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 碳化硅 BJT 外延片的表征测试 | 第43-51页 |
| ·外延片的表征测试方法 | 第43-45页 |
| ·表面形貌表征 | 第45-47页 |
| ·光学显微镜 | 第45-46页 |
| ·原子力显微镜 | 第46-47页 |
| ·结晶质量测试 | 第47-48页 |
| ·Raman 分析 | 第47页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第47-48页 |
| ·掺杂浓度测试 | 第48-49页 |
| 本章小结 | 第49-51页 |
| 第六章 结束语 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |
