| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·SOI 技术 | 第7-9页 |
| ·SOI 的制备 | 第7-8页 |
| ·SOI 技术的优势 | 第8-9页 |
| ·SOI 器件的特性 | 第9-12页 |
| ·厚膜和薄膜 SOI 器件 | 第9-11页 |
| ·浮体效应 | 第11-12页 |
| ·课题的研究背景及本文的主要研究工作 | 第12-15页 |
| 第二章 总剂量辐射效应的基本理论 | 第15-27页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·辐射粒子与物质的相互作用 | 第15-17页 |
| ·SOI 器件总剂量辐射效应 | 第17-23页 |
| ·辐射感生电荷的形成与性质 | 第17-19页 |
| ·总剂量效应对 SOI 器件的影响 | 第19-23页 |
| ·SOI 器件抗辐射加固方法 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 静态偏置条件对 SOI 器件总剂量辐射效应的影响 | 第27-37页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·辐射偏置条件 | 第27页 |
| ·仿真模型及器件结构 | 第27-29页 |
| ·仿真结果与分析 | 第29-35页 |
| ·器件的电学特性模拟 | 第29-31页 |
| ·偏置电压对陷阱俘获和背沟反型的影响 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 第四章 SOI NMOS 器件总剂量辐射效应的三维数值模拟 | 第37-51页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·SOI 器件辐射特性的关键影响因素仿真与分析 | 第37-44页 |
| ·SOI 器件的三维模型建立 | 第37-39页 |
| ·辐射敏感区及电子陷阱注入对辐照特性的影响 | 第39-44页 |
| ·SOI 抗总剂量加固器件的模拟 | 第44-49页 |
| ·抗辐射加固 SOI 器件的三维模型建立 | 第44-46页 |
| ·模拟结果分析 | 第46-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 结论 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 研究成果 | 第59-60页 |