描述集成电路制造过程基于卷积核的可制造性模型研究
| 致谢 | 第1-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| ·集成电路的发展概况 | 第9-10页 |
| ·集成电路的制造工艺 | 第10-12页 |
| ·集成电路设计与自动化 | 第12-14页 |
| ·集成电路可制造性设计 | 第14-17页 |
| ·论文的组织结构 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-19页 |
| 第2章 光刻建模及光刻分辨率增强技术 | 第19-31页 |
| ·光刻成像系统 | 第19-21页 |
| ·照明系统 | 第19-20页 |
| ·掩模版 | 第20-21页 |
| ·曝光系统 | 第21页 |
| ·光学分辨率增强技术 | 第21-26页 |
| ·光学邻近校正 | 第21-23页 |
| ·移相掩模 | 第23-24页 |
| ·离轴照明 | 第24-25页 |
| ·次分辨率辅助技术 | 第25-26页 |
| ·纯光学模型和工艺模型 | 第26-30页 |
| ·纯光学模型 | 第26-28页 |
| ·光刻胶模型 | 第28-29页 |
| ·可变偏差模型 | 第29-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 基于卷积核的可制造性模型算法 | 第31-43页 |
| ·可制造性设计模型 | 第31-34页 |
| ·仿光刻模型 | 第32-33页 |
| ·光刻胶模型 | 第33-34页 |
| ·可制造性模型问题的问题描述 | 第34-35页 |
| ·可制造性模型算法求解 | 第35-39页 |
| ·基于最速下降法的可制造性模型算法的代码实现 | 第39-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 实验结果和算法分析 | 第43-54页 |
| ·实验过程与结果 | 第43-45页 |
| ·误差分析 | 第45-48页 |
| ·影响模型精度的因素分析 | 第48-50页 |
| ·卷积核矩阵大小对模型精度的影响 | 第48-49页 |
| ·输入版图数量对模型精度的影响 | 第49-50页 |
| ·可制造性模型算法优化 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 第5章 总结和展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 作者简历 | 第59页 |
