| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 绪论 | 第10-27页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·GaN基材料的概述 | 第10-17页 |
| ·GaN基材料的发展与应用 | 第17-20页 |
| ·本课题的背景和意义 | 第20-25页 |
| ·本论文工作和内容 | 第25-27页 |
| 2 GaN外延的生长及表征 | 第27-48页 |
| ·薄膜沉积的方法 | 第27-32页 |
| ·GaN外延的生长方法与技术 | 第32-38页 |
| ·薄膜应力与位错 | 第38-42页 |
| ·GaN基材料的表征 | 第42-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 3 GaN基材料的MOCVD生长 | 第48-60页 |
| ·MOCVD生长技术 | 第48-52页 |
| ·Thomas Swan MOCVD生长设备 | 第52-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 4 Al_2O_3衬底GaN基材料的生长与特性研究 | 第60-75页 |
| ·衬底图形的选取 | 第60-63页 |
| ·半极性(11-22)小面GaN的生长 | 第63-66页 |
| ·半极性(11-22)小面InGaN多量子阱的生长 | 第66-68页 |
| ·量子阱发光波长剪裁和多色光合成 | 第68-74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 5 Si衬底GaN外延的生长与特性研究 | 第75-98页 |
| ·Si衬底的化学清洗 | 第75-76页 |
| ·Si衬底GaN外延生长的难点 | 第76-77页 |
| ·预沉积Al的时间的研究 | 第77-80页 |
| ·AlN缓冲层的研究 | 第80-87页 |
| ·Al_xGa(1-x)N插入层的研究 | 第87-93页 |
| ·HT-AlN/Al_xGa(1-x)N插入层的研究 | 第93-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 6 总结与展望 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-112页 |
| 附录 博士期间发表论文情况 | 第112页 |
