| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-18页 |
| ·GaN基LED的发展与应用 | 第9-11页 |
| ·表面等离激元的研究进展 | 第11-12页 |
| ·论文的主要工作及意义 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-18页 |
| 第二章 发光二极管(LED)基本理论 | 第18-33页 |
| ·LED发光原理 | 第18-19页 |
| ·LED发光效率 | 第19-26页 |
| ·内量子效率(IQE) | 第19-23页 |
| ·光取出效率(LEE) | 第23-26页 |
| ·本文中所使用的LED样品结构 | 第26-28页 |
| ·LED发光增强/淬灭机制 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-33页 |
| 第三章 介质表面金属纳米粒子表面等离激元的性质研究 | 第33-56页 |
| ·表面等离激元的基础 | 第33-39页 |
| ·局域表面等离激元(LSP) | 第34-36页 |
| ·表面极化等离激元(SPP) | 第36-39页 |
| ·不同衬底表面Ag表面等离激元的研究 | 第39-50页 |
| ·介质Spacer层的制备 | 第39-40页 |
| ·团簇束流沉积制备Ag纳米颗粒薄膜 | 第40-42页 |
| ·实验结果和分析 | 第42-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 第四章 表面等离激元增强LED发光 | 第56-72页 |
| ·表面等离激元耦合提高量子阱发光内量子效率 | 第56-64页 |
| ·量子阱表面Ag纳米粒子点阵的制备 | 第56-57页 |
| ·量子阱光致发光谱的测量 | 第57-58页 |
| ·量子阱光致发光增强因子的计算方法 | 第58-62页 |
| ·时间分辨光致发光谱(TRPL) | 第62-64页 |
| ·表面等离激元提高光取出效率 | 第64-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-72页 |
| 第五章 总结 | 第72-74页 |
| 发表文章目录 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |