| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 纳米低维半导体材料 | 第9-11页 |
| 1.2 稀磁半导体概述 | 第11-14页 |
| 1.2.1 磁性基础知识 | 第11-12页 |
| 1.2.2 稀磁半导体定义和分类 | 第12-13页 |
| 1.2.3 稀磁半导体研究概况 | 第13-14页 |
| 1.3 氧化锌概述 | 第14-17页 |
| 1.3.1 氧化锌结构及其基本性质 | 第14页 |
| 1.3.2 氧化锌性能和应用 | 第14-15页 |
| 1.3.3 氧化锌的缺陷和掺杂 | 第15-16页 |
| 1.3.4 氧化锌稀磁半导体的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.4 电子结构理论概述 | 第17-18页 |
| 1.5 有效质量包络函数 | 第18-19页 |
| 2 理论模型和计算方法 | 第19-29页 |
| 2.1 k·p微扰方法计算带边的能带结构 | 第19-23页 |
| 2.2 无磁场的有效质量理论 | 第23-26页 |
| 2.3 磁场下的有效质量方程 | 第26-29页 |
| 3 氧化锌量子线的能带结构 | 第29-37页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 纤锌矿在磁场中的电子态和空穴态 | 第29-35页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第35-37页 |
| 4 锰掺杂氧化锌量子线的能带结构及磁学性质 | 第37-48页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 锰掺杂纤锌矿量子线在磁场中的电子态和空穴态 | 第37-40页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第40-48页 |
| 5 结论与展望 | 第48-49页 |
| 5.1 主要结论 | 第48页 |
| 5.2 后续研究展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 附录 | 第56页 |
| A. 作者在攻读硕士学位期间的工作和发表的论文 | 第56页 |