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新型反熔丝器件可靠性评价技术研究

摘要第5-6页
abstract第6-7页
第一章 绪论第10-14页
    1.1 研究的背景和意义第10-12页
    1.2 国内外研究现状第12-13页
    1.3 论文结构和主要工作第13-14页
第二章 反熔丝存储器可靠性分析第14-21页
    2.1 反熔丝PROM概述第14-16页
    2.2 PROM存储器内部结构第16-18页
    2.3 PROM存储器可靠性原理第18-20页
        2.3.1 编程可靠性分析第18-19页
        2.3.2 读数可靠性分析第19-20页
        2.3.3 ESD防护第20页
    2.4 本章小结第20-21页
第三章 反熔丝器件可靠性分析模型第21-29页
    3.1 栅氧击穿模型第21-22页
    3.2 反熔丝器件击穿模型第22-28页
        3.2.1 热化学击穿模型第23-26页
        3.2.2 空穴击穿模型第26-27页
        3.2.3 统一击穿模型第27-28页
    3.3 本章小结第28-29页
第四章 反熔丝器件测试第29-36页
    4.1 测试器件简介第29-30页
    4.2 实验流程介绍第30-32页
    4.3 测试结果分析第32-35页
    4.4 本章小结第35-36页
第五章 PROM芯片可靠性测试系统第36-66页
    5.1 可靠性测试系统开发环境第36-37页
        5.1.1 Verilog开发环境第36页
        5.1.2 FPGA开发平台第36-37页
        5.1.3 系统测试环境第37页
    5.2 总体设计简介第37-39页
    5.3 PROM存储器接口电路第39-40页
    5.4 FPGA电路设计第40-61页
        5.4.1 UART串口发送模块第40-46页
        5.4.2 UART串口接收模块第46-49页
        5.4.3 PROM初始化模块第49-55页
        5.4.4 数据对比模块第55-61页
    5.5 PROM可靠性测试系统验证第61-64页
    5.6 测试结果分析第64-65页
    5.7 本章小结第65-66页
第六章 总结与展望第66-67页
    6.1 本文工作总结第66页
    6.2 展望第66-67页
致谢第67-68页
参考文献第68-70页
攻读硕士期间取得的成果第70页

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