| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·GaN 材料的优势 | 第8-10页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件的优势 | 第10-11页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 器件研究现状与存在的问题 | 第11-14页 |
| ·研究现状 | 第11-13页 |
| ·存在的问题 | 第13-14页 |
| ·本论文任务 | 第14-16页 |
| 第二章 栅偏源结构AlGaN/GaN HEMT 的小信号模型 | 第16-30页 |
| ·传统的FET 模型 | 第16-17页 |
| ·针对AlGaN/GaN HEMT 的改进模型 | 第17-18页 |
| ·一种新的AlGaN/GaN HEMT 小信号等效电路模型 | 第18-30页 |
| ·参数提取方法 | 第19-24页 |
| ·结果分析与比较 | 第24-30页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT 大信号模型 | 第30-40页 |
| ·大信号模型简介 | 第30-35页 |
| ·大信号物理模型 | 第30页 |
| ·基于测量的大信号模型 | 第30-31页 |
| ·大信号等效电路模型 | 第31-35页 |
| ·模型的建立 | 第35-38页 |
| ·直流漏-源电流模型 | 第35-37页 |
| ·电容模型 | 第37-38页 |
| ·结果分析与比较 | 第38-40页 |
| 第四章 Load-Pull 系统的搭建与测量 | 第40-48页 |
| ·Load-Pull 系统简介 | 第40-41页 |
| ·Load-Pull 系统的搭建 | 第41页 |
| ·Load-Pull 系统的校准 | 第41-42页 |
| ·Load-Pull 系统的测量 | 第42-45页 |
| ·在片测试 | 第43页 |
| ·封装器件测试 | 第43-45页 |
| ·PNA-X 的测量 | 第45-48页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT 两路合成放大器 | 第48-62页 |
| ·单路放大器设计 | 第48-57页 |
| ·放大器工作类型的选择 | 第48-50页 |
| ·放大器的稳定性及偏置电路设计 | 第50-51页 |
| ·匹配网络设计 | 第51-56页 |
| ·测试与讨论 | 第56-57页 |
| ·两路功分器合成器的设计 | 第57-60页 |
| ·测量与调试 | 第60-62页 |
| 第六章 总结及展望 | 第62-64页 |
| ·总结 | 第62页 |
| ·未来的工作 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
