| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展现状及趋势 | 第11-16页 |
| 1.2.1 功率半导体器件概述 | 第11-12页 |
| 1.2.2 SST发展趋势及隔离级拓扑研究 | 第12-16页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 SiC MOSFET工作特性分析及驱动电路设计要求 | 第18-27页 |
| 2.1 SiC MOSFET物理结构 | 第18-19页 |
| 2.2 SiC MOSFET与SiMOSFET特性比较 | 第19-22页 |
| 2.2.1 SiC材料与Si材料半导体对比 | 第19-20页 |
| 2.2.2 SiC MOSFET与Si MOSFET开关特性对比 | 第20-22页 |
| 2.3 驱动电阻对SiC MOSFET开关特性的影响 | 第22-23页 |
| 2.4 驱动电路设计要求 | 第23-26页 |
| 2.4.1 驱动电路分类 | 第23-24页 |
| 2.4.2 桥式电路串扰问题分析 | 第24-25页 |
| 2.4.3 SiC MOSFET驱动电路设计要求 | 第25-26页 |
| 2.5 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 SST隔离级控制策略分析及时域模型建立 | 第27-40页 |
| 3.1 DAB拓扑结构的简化 | 第27-29页 |
| 3.2 三种控制策略的分析 | 第29-37页 |
| 3.2.1 CPS控制策略下的工作原理及时域模型 | 第29-32页 |
| 3.2.2 EPS控制策略下的工作原理及时域模型 | 第32-35页 |
| 3.2.3 TPS控制策略下的工作原理及时域模型 | 第35-37页 |
| 3.3 本文提出的新型控制策略介绍 | 第37-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 SST隔离级硬件及软件的设计及实现 | 第40-57页 |
| 4.1 SST隔离级功率电路设计 | 第40-43页 |
| 4.1.1 功率器件选型及相关参数计算 | 第40-41页 |
| 4.1.2 高频变压器的设计 | 第41-43页 |
| 4.2 SST隔离级采样电路设计 | 第43-45页 |
| 4.3 SST隔离级驱动电路设计 | 第45-47页 |
| 4.3.1 SiC MOSFET驱动电路选择 | 第45-46页 |
| 4.3.2 驱动电路硬件设计及实物图 | 第46-47页 |
| 4.4 SST隔离级控制电路设计 | 第47-52页 |
| 4.4.1 控制电路的分析 | 第47-48页 |
| 4.4.2 SST隔离级建模 | 第48-51页 |
| 4.4.3 控制器的设计 | 第51-52页 |
| 4.5 基于TMS320F28035的软件设计与实现 | 第52-55页 |
| 4.5.1 TMS320F28035介绍及程序设计基本思想 | 第52-53页 |
| 4.5.2 控制器资源分配 | 第53-55页 |
| 4.5.3 移相脉冲产生方法 | 第55页 |
| 4.5.4 软件保护的设计及其他功能的实现 | 第55页 |
| 4.6 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 系统整体仿真与实验验证 | 第57-62页 |
| 5.1 SST隔离级仿真分析 | 第57-59页 |
| 5.2 SST隔离级实验验证 | 第59-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 工作总结 | 第62-63页 |
| 6.2 研究展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 在学期间的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
