| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 高k金属栅的研究背景 | 第9-12页 |
| 1.2 高k/金属栅的选择 | 第12-14页 |
| 1.2.1 高k材料的选择 | 第12-14页 |
| 1.2.2 金属栅的选择 | 第14页 |
| 1.3 高k材料的国内外发展状况 | 第14-15页 |
| 1.4 研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 高K栅介质的原理研究 | 第17-30页 |
| 2.1 电介质与介电常数 | 第17-22页 |
| 2.1.1 电介质极化 | 第18-21页 |
| 2.1.2 极化电介质内的高斯定理与介电常数 | 第21-22页 |
| 2.2 高k材料的原理研究 | 第22-26页 |
| 2.2.1 Hf基高k材料的掺杂 | 第22-23页 |
| 2.2.2 Hf基高k材料的晶相转变 | 第23-26页 |
| 2.3 影响MOS电容电学特性的主要因素 | 第26-29页 |
| 2.3.1 等效氧化层厚度的主要影响因素 | 第26-28页 |
| 2.3.2 平带电压的主要影响因素 | 第28页 |
| 2.3.3 栅极泄漏电流的主要影响因素 | 第28-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 高K金属栅MOS电容制备工艺 | 第30-46页 |
| 3.1 MOS电容浅槽隔离 | 第30-34页 |
| 3.1.1 化学气相淀积原理 | 第30-32页 |
| 3.1.2 干法刻蚀 | 第32页 |
| 3.1.3 浅槽隔离的制备 | 第32-34页 |
| 3.2 MOS电容界面层 | 第34-37页 |
| 3.2.1 原位蒸汽生成法 | 第35-36页 |
| 3.2.2 快速热氧化生长法 | 第36页 |
| 3.2.3 水汽携带臭氧氧化法 | 第36-37页 |
| 3.2.4 界面层的制备 | 第37页 |
| 3.3 高k金属栅的制备方法及电极引出 | 第37-45页 |
| 3.3.1 原子层沉积制备高k金属栅 | 第38-40页 |
| 3.3.2 溅射法形成Al电极 | 第40-42页 |
| 3.3.3 高k金属栅以及引出金属的制备 | 第42-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 基于MOS电容的超高K材料的研究 | 第46-58页 |
| 4.1 退火工艺对Al掺杂铪基高k栅介质MOS电容电学特性的影响与分析 | 第46-53页 |
| 4.1.1 退火时间对MOS电容电学特性的影响 | 第46-49页 |
| 4.1.2 退火温度对MOS电容电学特性的影响 | 第49-53页 |
| 4.2 Al掺杂HfO_2 MOS电容介电常数的提取方法 | 第53-56页 |
| 4.2.1 样品的制备 | 第53-54页 |
| 4.2.2 Al掺杂铪基高k栅介质MOS电容介电常数的提取 | 第54-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 课题总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 课题总结 | 第58-59页 |
| 5.2 课题展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-65页 |
| 在学期间的研究成果 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
