| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 引言 | 第12-14页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体表面钝化简介 | 第14-18页 |
| 1.3 高κ栅介质Ⅲ-Ⅴ族化合物晶体管发展历程 | 第18-21页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第21-24页 |
| 2 化合物半导体工艺优化 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 基于原子层沉积的高k介质 | 第24-29页 |
| 2.3 刻蚀 | 第29-30页 |
| 2.4 欧姆接触 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 砷化镓金属氧化物半导体场效应晶体管 | 第34-50页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 制备流程 | 第34-35页 |
| 3.3 氧化层界面与晶体管输运特性关联 | 第35-40页 |
| 3.4 基于电导法的界面特性表征 | 第40-46页 |
| 3.5 基于传输线模型的界面缺陷模型 | 第46-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 4 铝镓氮/氮化镓金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 | 第50-79页 |
| 4.1 氮化镓基晶体管发展与挑战 | 第50-55页 |
| 4.2 制备流程 | 第55-56页 |
| 4.3 高κ栅介质与金属绝缘体半导体电容关联 | 第56-59页 |
| 4.4 高κ栅介质与晶体管特性关联 | 第59-68页 |
| 4.5 氟基凹槽栅铝镓氮/氮化镓金属氧化物场效应晶体管 | 第68-74页 |
| 4.6 栅极注入型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管 | 第74-77页 |
| 4.7 本章小结 | 第77-79页 |
| 5 铟镓砷环栅纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管 | 第79-95页 |
| 5.1 引言 | 第79页 |
| 5.2 制备流程 | 第79-81页 |
| 5.3 超薄环型栅极漏电 | 第81-84页 |
| 5.4 低温输运特性 | 第84-94页 |
| 5.5 本章小结 | 第94-95页 |
| 6 铟镓砷纳米线金属氧化物半导体场效应晶体管磁特性 | 第95-107页 |
| 6.1 引言 | 第95页 |
| 6.2 纳米线晶体管中的磁输运 | 第95-99页 |
| 6.3 磁阻效应的调控 | 第99-106页 |
| 6.4 本章小结 | 第106-107页 |
| 7 总结与展望 | 第107-110页 |
| 致谢 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-125页 |
| 附录 攻读博士学位期间发表论文目录 | 第125页 |
