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三维集成电路测试关键技术研究

致谢第8-10页
摘要第10-12页
ABSTRACT第12-13页
缩写对照表第19-20页
第一章 绪论第20-30页
    1.1 研究背景与意义第20-21页
    1.2 研究动机:3D IC测试技术的主要问题与挑战第21-23页
        1.2.1 测试流程、成本与资源第21-22页
        1.2.2 可测试性设计第22页
        1.2.3 测试访问第22-23页
        1.2.4 测试功耗第23页
    1.3 三维集成电路测试研究现状及其局限性第23-26页
    1.4 研究内容及主要贡献第26-28页
        1.4.1 3D IC中间绑定测试次序优化第26-27页
        1.4.2 3D IC中间绑定测试时间优化第27-28页
        1.4.3 基于脉宽缩减的绑定前TSV测试研究第28页
    1.5 课题来源与论文的组织结构第28-30页
第二章 三维集成电路概述第30-42页
    2.1 三维集成电路发展动力第30-33页
        2.1.1 互连延迟第30-31页
        2.1.2 存储器带宽与时延第31-32页
        2.1.3 功耗与噪声第32页
        2.1.4 外形尺寸第32-33页
        2.1.5 更低的成本第33页
        2.1.6 异构集成和电路安全性第33页
    2.2 三维集成工艺第33-35页
        2.2.1 三维堆叠技术第34页
        2.2.2 三维互连技术第34页
        2.2.3 TSV制造技术第34-35页
        2.2.4 三维绑定技术第35页
    2.3 三维集成电路研究现状第35-40页
        2.3.1 3D IC设计第36页
        2.3.2 3D IC容错第36-38页
        2.3.3 3D IC散热第38-39页
        2.3.4 3D IC制造成本第39页
        2.3.5 3D IC老化测试第39-40页
    2.4 三维集成电路面临的挑战第40-41页
    2.5 本章小结第41-42页
第三章 三维集成电路测试研究进展第42-52页
    3.1 3D IC测试技术概述第42-45页
        3.1.1 3D IC绑定前测试技术第42-43页
        3.1.2 3D IC中间绑定测试技术第43-44页
        3.1.3 3D IC绑定后测试技术第44-45页
    3.2 3D IC测试流程优化第45-46页
    3.3 TSV测试技术研究概述第46-49页
        3.3.1 TSV故障模型第46-47页
        3.3.2 基于探针/无接触探针的TSV测试技术第47-48页
        3.3.3 基于BIST的TSV测试技术第48-49页
    3.4 3D IC测试挑战第49-51页
        3.4.1 测试访问局限性第49-50页
        3.4.2 测试时的热量威胁第50页
        3.4.3 TSV测试技术挑战第50页
        3.4.4 老化测试研究不足第50页
        3.4.5 BIST方法缺点第50-51页
    3.5 本章小结第51-52页
第四章 三维集成电路中间绑定测试次序优化第52-61页
    4.1 研究动机与主要贡献第52-53页
    4.2 三维集成电路良率模型和成本模型第53-54页
        4.2.1 三维集成电路良率模型第53-54页
        4.2.2 三维集成电路成本模型第54页
    4.3 考虑绑定失效概率的中间绑定测试次序优化第54-57页
        4.3.1 三维集成电路测试流程和重排堆叠第54-55页
        4.3.2 基于贪婪策略的重排堆叠方案第55-56页
        4.3.3 实验参数配置第56-57页
    4.4 实验结果与分析第57-60页
        4.4.1 堆叠次序对FAR的影响第57-58页
        4.4.2 堆叠层数对FAR的影响第58-59页
        4.4.3 TSV冗余度对FAR的影响第59-60页
    4.5 本章小结第60-61页
第五章 三维集成电路中间绑定测试时间优化第61-75页
    5.1 研究动机与主要贡献第61-63页
    5.2 中间绑定测试时间建模第63-66页
    5.3 基于整数线性规划的中间绑定测试时间优化第66-69页
    5.4 实验结果与分析第69-74页
        5.4.1 测试管脚与测试TSV对中间绑定测试时间的影响第70-71页
        5.4.2 三维堆叠布局对中间绑定测试时间的影响第71-73页
        5.4.3 功耗约束对中间绑定测试时间的影响第73-74页
    5.5 本章小结第74-75页
第六章 基于脉宽缩减的绑定前TSV测试研究第75-87页
    6.1 研究动机与主要贡献第75-76页
    6.2 TSV测试技术概述第76-80页
        6.2.1 TSV电气模型与故障模型第76-78页
        6.2.2 基于BIST的TSV测试研究第78-80页
    6.3 基于脉宽缩减的TSV测试研究第80-83页
        6.3.1 脉宽缩减原理第80-82页
        6.3.2 基于脉宽缩减的TSV测试方案第82-83页
    6.4 实验结果与分析第83-86页
        6.4.1 测试分辨率与供电电压的独立性第83-84页
        6.4.2 电阻开路故障和泄露故障的检测范围第84-86页
        6.4.3 面积开销分析第86页
    6.5 本章小结第86-87页
第七章 总结与展望第87-91页
    7.1 本文主要贡献第87-89页
    7.2 研究趋势与展望第89-91页
参考文献第91-99页
攻读博士学位期间发表的学术论文第99-101页
攻读博士学位期间参加的科研项目第101页

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