| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1. 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 引言及选题意义 | 第9页 |
| 1.2 石墨烯、硅烯及锗烯 | 第9-13页 |
| 1.2.1 石墨烯 | 第10-12页 |
| 1.2.2 硅烯及锗烯 | 第12-13页 |
| 1.3 白石墨烯(六方氮化硼) | 第13-14页 |
| 1.4 二硫化钼 | 第14-15页 |
| 1.5 黑磷 | 第15-16页 |
| 1.6 其他二维材料 | 第16-17页 |
| 1.7 本文主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2. 理论基础 | 第18-23页 |
| 2.1 基础量子化学及密度泛函原理 | 第18-20页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似 | 第18-19页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第19页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.2 交换关联泛函 | 第20-22页 |
| 2.2.1 局域密度近似LDA | 第20-21页 |
| 2.2.2 广义梯度近似GGA | 第21页 |
| 2.2.3 杂化密度泛函HSE | 第21-22页 |
| 2.3 常用软件包 | 第22-23页 |
| 3. 通过卤素修饰来调节锗烯的带隙 | 第23-35页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 计算参数设置 | 第24-25页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第25-34页 |
| 3.3.1 GeX的几何结构及其稳定性 | 第25-26页 |
| 3.3.2 单层GeX的电子能带结构 | 第26-28页 |
| 3.3.3 应变对单层GeX电子能带结构的调控作用 | 第28-31页 |
| 3.3.4 组装方式对GeX带隙的调控作用 | 第31-34页 |
| 3.4 结论 | 第34-35页 |
| 4. 磷锑合金化提高磷烯的迁移率 | 第35-48页 |
| 4.1 引言 | 第35-37页 |
| 4.2 计算参数设置 | 第37-38页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第38-47页 |
| 4.3.1 单层α-Sb_(1-x)P_x的模型 | 第38-41页 |
| 4.3.2 Sb_(1-x)P_x的稳定性和实验可能性 | 第41-43页 |
| 4.3.3 单层Sb_(1-x)P_x的能带结构 | 第43-45页 |
| 4.3.4 单层Sb_(1-x)P_x的载流子迁移率 | 第45-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 5. 总结与展望 | 第48-49页 |
| 5.1 总结 | 第48页 |
| 5.2 展望 | 第48-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-60页 |
| 附录 | 第60页 |
