纳米CMOS集成电路抗辐射加固锁存器设计研究
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 研究课题的背景及意义 | 第16-19页 |
| 1.1.1 空间辐射引发的可靠性问题 | 第16-17页 |
| 1.1.2 工艺缩减对单粒子效应的影响 | 第17-19页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第19-22页 |
| 1.2.1 产生机理的研究 | 第19-20页 |
| 1.2.2 模拟和建模技术的研究 | 第20-21页 |
| 1.2.3 加固技术的研究 | 第21-22页 |
| 1.3 本文的研究内容和组织结构 | 第22-24页 |
| 1.3.1 本文的研究内容 | 第22-23页 |
| 1.3.2 本文的组织结构 | 第23-24页 |
| 第二章 单粒子效应基础知识 | 第24-32页 |
| 2.1 辐射环境和辐射效应 | 第24-25页 |
| 2.1.1 辐射环境 | 第24页 |
| 2.1.2 辐射效应 | 第24-25页 |
| 2.2 单粒子效应的分类 | 第25-26页 |
| 2.3 单粒子效应产生机制 | 第26-29页 |
| 2.3.1 SEU/SET的产生机制 | 第26-28页 |
| 2.3.2 电荷共享的产生机制 | 第28-29页 |
| 2.4 单粒子效应的建模和仿真 | 第29-31页 |
| 2.4.1 器件级模拟 | 第29页 |
| 2.4.2 电路级模拟 | 第29-31页 |
| 2.4.3 器件/电路混合模拟 | 第31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 单粒子效应加固技术介绍 | 第32-48页 |
| 3.1 工艺加固 | 第32-33页 |
| 3.2 系统加固 | 第33-35页 |
| 3.3 版图加固 | 第35-36页 |
| 3.4 电路设计加固 | 第36-47页 |
| 3.4.1 标准静态锁存器 | 第36-37页 |
| 3.4.2 SET的加固方案 | 第37-38页 |
| 3.4.3 SEU的加固方案 | 第38-41页 |
| 3.4.4 MNU的加固方案 | 第41-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 本文提出的单粒子效应加固方案 | 第48-61页 |
| 4.1 本文提出的加固结构 | 第48-51页 |
| 4.1.1 设计思想和加固结构 | 第48-50页 |
| 4.1.2 容错原理 | 第50-51页 |
| 4.2 仿真实验 | 第51-55页 |
| 4.2.1 故障注入 | 第51-54页 |
| 4.2.2 泄露电流对提出锁存器的影响 | 第54-55页 |
| 4.3 加固设计的比较 | 第55-60页 |
| 4.3.1 性能比较 | 第55-57页 |
| 4.3.2 PVT波动分析 | 第57-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 5.1 全文总结 | 第61页 |
| 5.2 研究工作展望 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-69页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第69页 |
