| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第15-20页 |
| 1.1.1 集成电路发展史 | 第15-16页 |
| 1.1.2 集成电路可靠性概述 | 第16-18页 |
| 1.1.3 静态随机存储器可靠性研究 | 第18-20页 |
| 1.2 SRAM可靠性研究背景 | 第20-23页 |
| 1.2.1 SRAM抗辐照研究 | 第20-21页 |
| 1.2.2 SRAM抗老化研究 | 第21-23页 |
| 1.3 本文研究内容及章节安排 | 第23-25页 |
| 1.3.1 课题来源 | 第23页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第23-24页 |
| 1.3.3 章节安排 | 第24-25页 |
| 第二章 抗辐照SRAM原理及实验环境 | 第25-35页 |
| 2.1 SRAM基础 | 第25-30页 |
| 2.1.1 SRAM总体结构 | 第25页 |
| 2.1.2 传统SRAM单元 | 第25-28页 |
| 2.1.3 SRAM的稳定性 | 第28-30页 |
| 2.2 抗辐照SRAM单元 | 第30-32页 |
| 2.2.1 DICE单元 | 第30-31页 |
| 2.2.2 QUATRO单元 | 第31-32页 |
| 2.3 HSPICE工具及模型 | 第32-34页 |
| 2.3.1 HSPICE仿真的基本框架 | 第32-33页 |
| 2.3.2 MOSRA模型 | 第33-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 DICE单元老化分析与防护 | 第35-48页 |
| 3.1 BTI效应及建模 | 第35-38页 |
| 3.1.1 BTI效应原理 | 第35-36页 |
| 3.1.2 BTI效应建模 | 第36-38页 |
| 3.2 BTI效应对DICE结构的影响 | 第38-42页 |
| 3.2.1 写操作 | 第38-40页 |
| 3.2.2 读操作 | 第40-42页 |
| 3.3 改进的DICE单元及其性能分析 | 第42-47页 |
| 3.3.1 改进的DICE单元结构 | 第42-43页 |
| 3.3.2 改进的DICE单元抗BTI能力分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 改进的DICE单元容忍SEU能力分析 | 第45-46页 |
| 3.3.4 改进的DICE单元开销分析 | 第46-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 QUATRO单元老化分析与防护 | 第48-57页 |
| 4.1 BTI效应对QUATRO单元的影响 | 第48-52页 |
| 4.1.1 写操作 | 第48-50页 |
| 4.1.2 读操作 | 第50-52页 |
| 4.2 抗老化改进QUATRO单元 | 第52-54页 |
| 4.2.1 改进的QUATRO单元结构 | 第52-54页 |
| 4.3 改进的QUATRO单元性能分析 | 第54-56页 |
| 4.3.1 改进的QUATRO单元抗辐照能力分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 改进的QUATRO单元与原单元开销对比 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第57-58页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士期间的学术活动及成果情况 | 第63页 |