刻蚀和沉积工艺腔室的理论仿真及实验验证
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-29页 |
| ·研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·刻蚀和沉积工艺及设备简介 | 第9-16页 |
| ·刻蚀工艺及设备 | 第9-13页 |
| ·沉积工艺及设备 | 第13-16页 |
| ·刻蚀和沉积工艺模拟方法 | 第16-24页 |
| ·仿真方法简介 | 第17-23页 |
| ·通用仿真软件及比较 | 第23-24页 |
| ·刻蚀和沉积工艺质量评价标准 | 第24-28页 |
| ·刻蚀工艺质量评价标准 | 第25-26页 |
| ·沉积工艺质量评价标准 | 第26-28页 |
| ·论文的组织结构 | 第28-29页 |
| 第2章 仿真和实验的理论基础 | 第29-41页 |
| ·等离子体仿真工具 | 第29-36页 |
| ·腔室模块理论基础 | 第30-35页 |
| ·表面模块理论基础 | 第35-36页 |
| ·刻蚀和沉积实验设计 | 第36-39页 |
| ·刻蚀和沉积工艺流程 | 第36-38页 |
| ·实验设计调节参数 | 第38-39页 |
| ·仿真和实验的耦合 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 硅基底刻蚀的理论仿真和实验验证 | 第41-60页 |
| ·仿真建模 | 第41-48页 |
| ·腔室模型及计算结果 | 第41-46页 |
| ·表面模型参数设置 | 第46-48页 |
| ·实验结果对比 | 第48-54页 |
| ·微尺度刻蚀结果对比 | 第48-53页 |
| ·深微尺度刻蚀结果对比 | 第53页 |
| ·纳尺度刻蚀结果对比 | 第53-54页 |
| ·仿真参数调节 | 第54-58页 |
| ·改变源功率 | 第55-56页 |
| ·改变射频偏压 | 第56-57页 |
| ·改变腔室压强 | 第57页 |
| ·改变气体流量比 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第4章 二氧化硅基底刻蚀的理论仿真和实验验证 | 第60-75页 |
| ·CHF_3/H_2仿真建模 | 第60-69页 |
| ·腔室模型及计算结果 | 第60-63页 |
| ·表面模型及参数设置 | 第63-66页 |
| ·模拟实验结果对比 | 第66-69页 |
| ·刻蚀工艺模型的器件应用 | 第69-73页 |
| ·阻变存储器 | 第70页 |
| ·腔室模型和表面模型 | 第70-72页 |
| ·模拟刻蚀结果 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第5章 二氧化硅沉积的理论仿真和实验验证 | 第75-91页 |
| ·仿真建模 | 第75-82页 |
| ·腔室模型及参数设置 | 第75-79页 |
| ·表面模型及参数设置 | 第79-82页 |
| ·实验结果对比 | 第82-90页 |
| ·实验过程 | 第82-83页 |
| ·结果对比 | 第83-90页 |
| ·本章小结 | 第90-91页 |
| 第6章 总结与展望 | 第91-94页 |
| ·主要成果 | 第91-92页 |
| ·未来工作展望 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第101-102页 |
| 表格 | 第102-103页 |
| 图 | 第103-105页 |
