| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·微通道板的工作原理、结构和类型 | 第7-9页 |
| ·微通道板的工作原理和结构 | 第7-8页 |
| ·MCP的类型 | 第8-9页 |
| ·微通道板的发展历史及应用 | 第9-11页 |
| ·微通道板的国内外发展概况 | 第9-10页 |
| ·应用领域 | 第10-11页 |
| ·微通道板薄膜打拿极技术发展 | 第11-14页 |
| ·氢还原制备打拿极技术 | 第11页 |
| ·薄膜打拿极制备技术 | 第11-12页 |
| ·纳米复合薄膜打拿极制备技术 | 第12-13页 |
| ·打拿极二次电子发射特性研究概况 | 第13-14页 |
| ·本论文主要研究内容及意义 | 第14-15页 |
| ·主要内容和研究路线 | 第14页 |
| ·意义 | 第14-15页 |
| 第二章 微通道板薄膜打拿极导电层结构和性能研究 | 第15-31页 |
| ·打拿极导电层薄膜材料的结构设计 | 第15-18页 |
| ·电阻率的理论计算 | 第15-16页 |
| ·打拿极薄膜材料选取 | 第16-18页 |
| ·LPCVD法制备非晶硅打拿极导电层薄膜 | 第18-20页 |
| ·非晶硅导电层薄膜的制备 | 第18-19页 |
| ·测试结果及分析 | 第19-20页 |
| ·AZO纳米复合导电层薄膜的制备 | 第20-23页 |
| ·AZO纳米复合薄膜实验原料及设备 | 第20-21页 |
| ·AZO纳米复合薄膜的实验制备 | 第21-23页 |
| ·AZO复合导电层薄膜的表征分析 | 第23-31页 |
| ·AZO导电薄膜的电学性能分析 | 第23-25页 |
| ·AZO导电薄膜的表面形貌分析 | 第25-27页 |
| ·AZO导电薄膜的晶态及结合能分析 | 第27-31页 |
| 第三章 薄膜打拿极发射层的制备与性能研究 | 第31-44页 |
| ·二次电子发射原理 | 第31-36页 |
| ·二次电子发射的基本概念 | 第31页 |
| ·二次电子发射的基本理论 | 第31-32页 |
| ·二次电子发射系数的影响因素 | 第32-36页 |
| ·纳米发射层薄膜材料选取及膜层设计 | 第36-39页 |
| ·打拿极发射层厚度的计算 | 第36-38页 |
| ·发射层材料的选取 | 第38-39页 |
| ·发射层薄膜的实验制备 | 第39-41页 |
| ·SiO2发射层薄膜的制备 | 第39-40页 |
| ·Al2O3发射层薄膜的制备 | 第40-41页 |
| ·打拿极发射层薄膜性能测试的方案设计 | 第41-44页 |
| ·二次电子发射系数测试原理 | 第41-42页 |
| ·二次电子发射测试系统和步骤 | 第42页 |
| ·二次电子发射系数的其他测试方法 | 第42-44页 |
| 第四章 微通道板薄膜打拿极二次电子发射特性模拟仿真 | 第44-49页 |
| ·二次电子发射特性模型建立 | 第44-45页 |
| ·模型假设 | 第44页 |
| ·理论模型的建立 | 第44-45页 |
| ·二次电子发射特性的计算模拟和分析 | 第45-49页 |
| ·二次电子发射特性的数值计算模拟 | 第45页 |
| ·模拟结果的分析 | 第45-49页 |
| 第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
| ·论文总结 | 第49页 |
| ·后期工作和展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第54页 |