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微通道板薄膜打拿极二次电子发射特性研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-7页
第一章 绪论第7-15页
   ·微通道板的工作原理、结构和类型第7-9页
     ·微通道板的工作原理和结构第7-8页
     ·MCP的类型第8-9页
   ·微通道板的发展历史及应用第9-11页
     ·微通道板的国内外发展概况第9-10页
     ·应用领域第10-11页
   ·微通道板薄膜打拿极技术发展第11-14页
     ·氢还原制备打拿极技术第11页
     ·薄膜打拿极制备技术第11-12页
     ·纳米复合薄膜打拿极制备技术第12-13页
     ·打拿极二次电子发射特性研究概况第13-14页
   ·本论文主要研究内容及意义第14-15页
     ·主要内容和研究路线第14页
     ·意义第14-15页
第二章 微通道板薄膜打拿极导电层结构和性能研究第15-31页
   ·打拿极导电层薄膜材料的结构设计第15-18页
     ·电阻率的理论计算第15-16页
     ·打拿极薄膜材料选取第16-18页
   ·LPCVD法制备非晶硅打拿极导电层薄膜第18-20页
     ·非晶硅导电层薄膜的制备第18-19页
     ·测试结果及分析第19-20页
   ·AZO纳米复合导电层薄膜的制备第20-23页
     ·AZO纳米复合薄膜实验原料及设备第20-21页
     ·AZO纳米复合薄膜的实验制备第21-23页
   ·AZO复合导电层薄膜的表征分析第23-31页
     ·AZO导电薄膜的电学性能分析第23-25页
     ·AZO导电薄膜的表面形貌分析第25-27页
     ·AZO导电薄膜的晶态及结合能分析第27-31页
第三章 薄膜打拿极发射层的制备与性能研究第31-44页
   ·二次电子发射原理第31-36页
     ·二次电子发射的基本概念第31页
     ·二次电子发射的基本理论第31-32页
     ·二次电子发射系数的影响因素第32-36页
   ·纳米发射层薄膜材料选取及膜层设计第36-39页
     ·打拿极发射层厚度的计算第36-38页
     ·发射层材料的选取第38-39页
   ·发射层薄膜的实验制备第39-41页
     ·SiO2发射层薄膜的制备第39-40页
     ·Al2O3发射层薄膜的制备第40-41页
   ·打拿极发射层薄膜性能测试的方案设计第41-44页
     ·二次电子发射系数测试原理第41-42页
     ·二次电子发射测试系统和步骤第42页
     ·二次电子发射系数的其他测试方法第42-44页
第四章 微通道板薄膜打拿极二次电子发射特性模拟仿真第44-49页
   ·二次电子发射特性模型建立第44-45页
     ·模型假设第44页
     ·理论模型的建立第44-45页
   ·二次电子发射特性的计算模拟和分析第45-49页
     ·二次电子发射特性的数值计算模拟第45页
     ·模拟结果的分析第45-49页
第五章 总结与展望第49-51页
   ·论文总结第49页
   ·后期工作和展望第49-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-54页
发表论文和科研情况说明第54页

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