| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·AlGaN/GaN异质结器件的研究现状 | 第13-15页 |
| ·课题研究背景和意义 | 第15-16页 |
| ·主要工作及内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结器件的可制造性设计环境 | 第18-26页 |
| ·工艺级仿真工具-Sentaurus Process | 第19-20页 |
| ·器件物理特性模拟工具-Sentaurus Device | 第20-22页 |
| ·集成化的虚拟设计平台-Sentaurus Workbench | 第22-24页 |
| ·仿真结果查看与分析工具-Inspect和Tecplot SV | 第24-26页 |
| 第三章 GaN的基本特性和A1GaN\GaN异质结工作原理 | 第26-35页 |
| ·GaN的基本特性 | 第26-31页 |
| ·结构特性 | 第26-30页 |
| ·电学特性 | 第30页 |
| ·光学特性 | 第30-31页 |
| ·AlGaN/GaN异质结工作原理 | 第31-35页 |
| ·极化效应 | 第31-33页 |
| ·Al_xGa_(1-x)N/GaN器件中2DEG的形成 | 第33-35页 |
| 第四章 AlGaN/GaN异质结器件的物理模型 | 第35-44页 |
| ·基本方程 | 第35-37页 |
| ·泊松方程 | 第35页 |
| ·连续性方程 | 第35-36页 |
| ·输运方程 | 第36-37页 |
| ·极化效应模型 | 第37-38页 |
| ·自发极化 | 第37页 |
| ·压电极化 | 第37-38页 |
| ·模型参数 | 第38页 |
| ·迁移率模型 | 第38-41页 |
| ·常数迁移率模型 | 第39页 |
| ·Canali模型 | 第39-41页 |
| ·SRH模型 | 第41-42页 |
| ·禁带宽度的计算 | 第42-44页 |
| 第五章 AlGaN/GaN器件结构设计及模拟方案 | 第44-50页 |
| ·器件的结构设计 | 第44-46页 |
| ·模拟实验方案 | 第46-50页 |
| ·单因素模拟的实验方案 | 第46-47页 |
| ·表面响应优化分析 | 第47-50页 |
| 第六章 AlGaN/GaN器件的模拟结果及分析 | 第50-65页 |
| ·单因素模拟结果及分析 | 第50-60页 |
| ·Al组分 | 第50-53页 |
| ·势垒层厚度 | 第53-55页 |
| ·应变弛豫度 | 第55-57页 |
| ·栅偏压 | 第57-59页 |
| ·其他的因素 | 第59-60页 |
| ·RSM优化结果及分析 | 第60-65页 |
| 结束语 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第73页 |
