| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·GaN 器件的应用前景 | 第7-10页 |
| ·GaN 器件的应用前景 | 第7-8页 |
| ·GaN 器件的研究进展 | 第8-10页 |
| ·高κ栅介质的 AlGaN/GaN MOS-HEMT 的研究意义 | 第10-12页 |
| ·本论文的工作及内容安排 | 第12-13页 |
| 第二章 MOS-HEMT 的基本原理与仿真的物理模型 | 第13-25页 |
| ·GaN HEMT 的基本工作原理 | 第13-17页 |
| ·AlGaN/GaN 的极化效应及 2DEG 的形成 | 第13-16页 |
| ·AlGaN/GaN MOS-HEMT 的工作原理 | 第16-17页 |
| ·GaN HEMT 电流崩塌机理 | 第17-19页 |
| ·电流崩塌现象 | 第17-18页 |
| ·AlGaN/GaN 器件电流崩塌机理 | 第18-19页 |
| ·器件仿真的基本模型 | 第19-23页 |
| ·基本物理方程 | 第20-21页 |
| ·迁移率模型 | 第21-23页 |
| ·小结 | 第23-25页 |
| 第三章 高κ栅介质 AlGaN/GaN MOS-HEMT 器件的基本特性 | 第25-47页 |
| ·模拟器件的基本结构 | 第25-26页 |
| ·器件基本特性的模拟 | 第26-40页 |
| ·器件的基本物理特性模拟 | 第27-33页 |
| ·转移特性的模拟 | 第33-34页 |
| ·跨导的模拟 | 第34-35页 |
| ·输出特性的模拟 | 第35-36页 |
| ·击穿特性的模拟 | 第36-38页 |
| ·C-V 特性的模拟 | 第38-40页 |
| ·不同器件参数对器件特性的影响 | 第40-46页 |
| ·不同 Al 组分 x 对器件特性的影响 | 第40-42页 |
| ·不同 HfO_2厚度对器件特性的影响 | 第42-44页 |
| ·AlGaN 层中不同的陷阱能级和浓度对器件特性的影响 | 第44-46页 |
| ·小结 | 第46-47页 |
| 第四章 高κ栅介质 AlGaN/GaN MOS-HEMT 的电流崩塌效应 | 第47-59页 |
| ·脉冲下器件电流崩塌的仿真 | 第47-52页 |
| ·电流崩塌的仿真 | 第47-50页 |
| ·不同脉冲条件下的电流崩塌的仿真 | 第50-52页 |
| ·抑制电流崩塌效应的措施及机理 | 第52-58页 |
| ·钝化层 | 第53-56页 |
| ·场板 | 第56-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 第五章 总结 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |
