倒装芯片技术中无铅凸点电迁移研究

摘    要	第1-5页
ABSTRACT	第5-6页
目    录	第6-8页
1 概 述	第8-21页
·电迁移现象及理论	第8-12页
·倒装芯片封装技术中的可靠性问题	第8-10页
·电迁移的原子扩散的模型	第10-12页
·倒装芯片封装中凸点电迁移的特性	第12页
·国内外研究现状	第12-19页
·互连导线以及薄膜的电迁移	第13-15页
·凸点互连的电迁移研究现状	第15-19页
·研究目的和内容	第19-21页
·研究目的	第19-20页
·研究内容	第20-21页
2 试验装置设计与试样的制备	第21-29页
·试验方案与装置设计	第21-26页
·试验方案	第21-24页
·试验装置	第24-26页
·试样制备	第26-29页
·无铅凸点的制备	第26-27页
·PCB 板的制备	第27页
·倒装芯片试样的制备	第27-29页
3 试验结果与数值计算	第29-38页
·不同电流密度的电迁移试验及数值计算	第30-33页
·电流密度分布的数值计算	第30-31页
·不同电流的电迁移试验	第31-33页
·不同厚度 UBM 的电迁移试验及数值计算	第33-38页
·UBM 厚度对电流密度分布影响的数值计算	第33-34页
·不同厚度 UBM 的电迁移试验结果	第34-35页
·不同厚度 UBM 的热老化试验结果	第35-38页
4 分析与讨论	第38-49页
·电流密度对电压－时间曲线的影响	第38-41页
·电流密度的影响	第38-39页
·应力梯度的影响	第39-40页
·焦耳热效应的影响	第40-41页
·UBM 厚度对电压－时间的影响	第41-44页
·不同厚度 UBM 试样的电压－时间曲线	第41-43页
·不同厚度 UBM 试样的焦耳热	第43-44页
·电迁移对 IMC 演化及迁移的影响	第44-47页
·热老化对 IMC 演化的影响	第47-49页
5 结 论	第49-50页
致    谢	第50-51页
参考文献	第51-55页
附录 1 攻读硕士学位期间发表的论文目录	第55-56页