浅沟道隔离层小球状缺陷的改善研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-10页 |
| 1 绪论 | 第10-25页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·半导体清洗的发展 | 第10-12页 |
| ·半导体技术发展回顾 | 第12-13页 |
| ·半导体清洗污染物的介绍 | 第13-15页 |
| ·半导体生产中各种清洗工艺 | 第15-17页 |
| ·半导体生产中遇到的各种缺陷介绍 | 第17-19页 |
| ·实际工程生产中所遇到的缺陷问题 | 第19-23页 |
| ·未来清洗技术的发展和展望 | 第23-25页 |
| 2 理论基础 | 第25-42页 |
| ·清洗技术中的关键要求 | 第25-26页 |
| ·湿式洁净技术与高纯度化学品 | 第26-28页 |
| ·化学湿法制程中两种处理方法 | 第28-29页 |
| ·化学湿法制程的目的和作用 | 第29-30页 |
| ·氢氟酸在半导体制程中的作用 | 第30-32页 |
| ·二氧化硅的性质 | 第32-34页 |
| ·二氧化硅的分子结构 | 第32-33页 |
| ·二氧化硅的物理性质 | 第33页 |
| ·二氧化硅的化学性质 | 第33-34页 |
| ·二氧化硅在集成电路中的应用 | 第34页 |
| ·半导体硅片的化学清洗原理 | 第34-42页 |
| ·SPM 清洗技术 | 第35-36页 |
| ·SC-1 清洗技术 | 第36-39页 |
| ·SC-2 清洗技术 | 第39-40页 |
| ·HF 清洗技术 | 第40-42页 |
| 3 实验方法 | 第42-52页 |
| ·生产过程中产品所产生的缺陷回顾 | 第42-44页 |
| ·实验材料及实验仪器 | 第44页 |
| ·试验方案之设计一 | 第44-47页 |
| ·球状缺陷产生之认证 | 第44页 |
| ·分解实验缺陷之比较 | 第44-47页 |
| ·试验方案之设计二 | 第47-48页 |
| ·球状缺陷原因产生鉴别 | 第47页 |
| ·实验过程及实验缺陷的模拟 | 第47-48页 |
| ·试验方案之设计三 | 第48-52页 |
| ·关于如何避免硅化物缺陷的研究及改善方案 | 第48-49页 |
| ·关于对不同的氢氟酸DIP 时间的研究及改善方案 | 第49-50页 |
| ·最优化改善研究方案及实验认证 | 第50-52页 |
| 4 实验结果分析与讨论 | 第52-58页 |
| ·缺陷原因分析 | 第52-53页 |
| ·缺陷现成机理 | 第53-58页 |
| 5 结论 | 第58-59页 |
| 6 未来展望 | 第59-60页 |
| 7 参考文献 | 第60-61页 |
| 8 攻读学位期间发表的学术论文 | 第61-63页 |
