| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 SiC材料结构与性质 | 第11-14页 |
| 1.2 半导体材料辐照损伤 | 第14-16页 |
| 1.2.1 半导体材料辐照位移损伤 | 第14-15页 |
| 1.2.2 晶体缺陷 | 第15-16页 |
| 1.3 SiC材料辐照损伤研究进展 | 第16-19页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 基于分子动力学模拟的辐照位移损伤一般方法 | 第21-35页 |
| 2.1 基于分子动力学模拟的辐照位移损伤能量加载方式 | 第21-24页 |
| 2.2 分子动力学模拟方法 | 第24-32页 |
| 2.2.1 分子动力学方法的基本原理 | 第24-25页 |
| 2.2.2 分子动力学模拟的原子势函数 | 第25-28页 |
| 2.2.3 分子动力学模拟积分算法 | 第28-31页 |
| 2.2.4 边界条件 | 第31-32页 |
| 2.2.5 分子动力学模拟系综 | 第32页 |
| 2.3 结果表征方法 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-35页 |
| 第3章 4H-SiC辐照位移损伤缺陷演化的分子动力学模拟 | 第35-55页 |
| 3.1 计算条件设置 | 第35-39页 |
| 3.1.1 4H-SiC材料模拟构型的建立 | 第35-36页 |
| 3.1.2 4H-SiC模型的能量最小化和弛豫过程 | 第36-38页 |
| 3.1.3 PKA速度设定 | 第38页 |
| 3.1.4 4H-SiC辐照位移损伤模拟时间步长的设置 | 第38-39页 |
| 3.2 点缺陷识别方法 | 第39-40页 |
| 3.3 4H-SiC辐照位移损伤模拟结果及分析 | 第40-54页 |
| 3.3.1 4H-SiC辐照位移损伤的级联碰撞过程 | 第40-44页 |
| 3.3.2 PKA能量对级联碰撞缺陷形成与演化的影响 | 第44-48页 |
| 3.3.3 PKA入射角度对级联碰撞缺陷形成与演化的影响 | 第48-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第4章 结论与展望 | 第55-59页 |
| 4.1 论文工作总结 | 第55-56页 |
| 4.2 展望 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-65页 |
| 作者攻读学位期间的科研成果 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
