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纳米工艺物理设计中DMSA的研究与实现

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-12页
    1.1 研究背景第8页
    1.2 多工艺角多模式设计的挑战第8-10页
    1.3 研究内容和课题来源第10-11页
        1.3.1 研究内容第10-11页
        1.3.2 课题来源第11页
    1.4 论文结构第11-12页
第2章 多工艺角多模式设计第12-18页
    2.1 工艺角的影响第12-16页
        2.1.1 供电电压对单元延迟的影响第13-14页
        2.1.2 温度对单元延迟的影响第14-15页
        2.1.3 工艺波动对单元延迟的影响第15-16页
    2.2 工作模式的影响第16-17页
    2.3 本章小结第17-18页
第3章 静态时序分析第18-32页
    3.1 时序模型第18-26页
        3.1.1 单元延迟模型第18-22页
        3.1.2 线负载模型第22-24页
        3.1.3 互连线延迟模型第24-26页
    3.2 静态时序分析原理第26-30页
        3.2.1 静态时序分析思想第27页
        3.2.2 静态时序分析流程第27-28页
        3.2.3 静态时序分析指标第28-30页
    3.3 时序约束第30-31页
    3.4 本章小结第31-32页
第4章 DMSA 设计方法第32-42页
    4.1 DMSA 概念第32页
    4.2 DMSA 硬件平台第32-35页
        4.2.1 DMSA 硬件平台搭建第33-34页
        4.2.2 DMSA 进程控制第34-35页
    4.3 DMSA 设计方法第35-38页
        4.3.1 DMSA 静态时序分析第35-37页
        4.3.2 DMSA 时序修复第37页
        4.3.3 DMSA 设计方法第37-38页
    4.4 DMSA 设计方法特点第38-40页
        4.4.1 DMSA 简化时序报告分析第38-39页
        4.4.2 DMSA 快速时序修复第39-40页
    4.5 本章小结第40-42页
第5章 基于 BES6507 芯片的 DMSA 具体实现第42-58页
    5.1 BES6507 芯片介绍第42-43页
    5.2 DMSA 前期准备第43-49页
        5.2.1 数据准备第43-44页
        5.2.2 场景创建第44-45页
        5.2.3 BES6507 芯片物理版图设计第45-48页
        5.2.4 BES6507 芯片寄生参数提取第48-49页
    5.3 BES6507 芯片的静态时序分析第49-53页
        5.3.1 DMSA 静态时序分析实现第49-53页
        5.3.2 分析结果对比第53页
    5.4 BES6507 芯片时序签核第53-56页
        5.4.1 DMSA 的时序修复实现第54页
        5.4.2 时序签核结果对比第54-56页
    5.5 总体结果分析第56页
    5.6 本章小结第56-58页
结论第58-60页
参考文献第60-62页
攻读硕士学位期间所发表的学术论文第62-64页
致谢第64页

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