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新型光电探测器的制备与机理研究

致谢第5-6页
摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
序言第10-13页
1 绪论第13-27页
    1.1 光电探测器的研究背景第13-14页
    1.2 新型光电探测器的发展趋势第14-26页
        1.2.1 半导体材料的创新第14页
        1.2.2 器件物理的创新第14-20页
        1.2.3 关键参数与测试方法第20-26页
    1.3 本论文的选题依据与研究内容第26-27页
2 二极管型有机光电探测器的研究第27-41页
    2.1 基于金属铱配合物的有机紫外光电探测器的研究第27-32页
        2.1.1 实验步骤第28页
        2.1.2 研究金属铱配合物的光致发光淬灭现象第28-29页
        2.1.3 器件的光电响应性能第29-31页
        2.1.4 紫外探测能力第31-32页
    2.2 基于稀土配合物的有机紫外光电探测器的研究第32-39页
        2.2.1 实验步骤第33页
        2.2.2 斯托克斯位移与较长的发光寿命第33-35页
        2.2.3 器件在无偏压下显示二极管型的特性第35-37页
        2.2.4 器件在有偏压时显示倍增型的特性第37-39页
    2.3 本章小结第39-41页
3 倍增型有机光电探测器的研究第41-67页
    3.1 探讨电荷陷阱的是如何形成的第41-53页
        3.1.1 实验步骤第42页
        3.1.2 研究器件暗电流的来源第42-43页
        3.1.3 光场分布模拟计算解释EQE光谱形状中特殊的下凹第43-46页
        3.1.4 用验证性器件进一步观察光场对EQE光谱的影响第46-48页
        3.1.5 电荷陷阱由少量掺入的分散的受体材料团簇组成第48-53页
    3.2 界面势垒宽度对外电荷隧穿注入电流的影响第53-56页
        3.2.1 实验步骤第53-54页
        3.2.2 有/无氟化锂修饰层对器件性能的影响第54-56页
        3.2.3 界面势垒宽度如何影响外电荷隧穿注入电流第56页
    3.3 有源层内受陷电荷再分布现象的研究第56-66页
        3.3.1 实验步骤第56-57页
        3.3.2 经过加速老化后的器件性能第57-58页
        3.3.3 受陷电荷再分布对器件响应光谱的影响第58-60页
        3.3.4 受陷电荷再分布对器件响应速度的影响第60-62页
        3.3.5 用验证性器件来证明猜想第62-66页
    3.4 本章小结第66-67页
4 钙钛矿光电探测器响应范围调控的研究第67-83页
    4.1 理论基础第67-70页
    4.2 窄带响应钙钛矿光电探测器第70-79页
        4.2.1 实验步骤第70-71页
        4.2.2 厚膜法应用于钙钛矿光电探测器上的数据与分析第71-75页
        4.2.3 通过分离OAED层获得窄带响应钙钛矿光电探测器第75-79页
    4.3 RGB钙钛矿光电探测器第79-81页
        4.3.1 实验步骤第79-80页
        4.3.2 RGB钙钛矿光电探测器与人眼感光特性对比第80-81页
    4.4 本章小结第81-83页
5 结论第83-85页
参考文献第85-93页
作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果第93-97页
学位论文数据集第97页

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