| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究工作的背景和意义 | 第10-11页 |
| 1.2 结终端技术 | 第11页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第12-14页 |
| 第二章 结终端理论简介 | 第14-25页 |
| 2.1 影响击穿电压的因素 | 第14-16页 |
| 2.1.1 平面工艺PN结的扩散 | 第14-15页 |
| 2.1.2 界面电荷的存在 | 第15-16页 |
| 2.1.3 杂质在Si、SiO2中有不同的分凝系数 | 第16页 |
| 2.2 典型结终端技术理论简介 | 第16-24页 |
| 2.2.1 场限环技术 | 第17-18页 |
| 2.2.2 场板技术 | 第18-20页 |
| 2.2.3 结终端扩展技术 | 第20-22页 |
| 2.2.4 磨角终端 | 第22-23页 |
| 2.2.5 其他终端 | 第23-24页 |
| 2.3 终端结构对器件的影响 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 结终端的比较研究和芯片的逆向模拟 | 第25-49页 |
| 3.1 结终端的比较研究 | 第25-30页 |
| 3.1.1 延伸型终端 | 第25-29页 |
| 3.1.2 截断型终端 | 第29-30页 |
| 3.2 软件的介绍 | 第30-34页 |
| 3.2.1 Sentaurus TCAD软件的介绍 | 第30-32页 |
| 3.2.2 场限环技术初探 | 第32-34页 |
| 3.3 芯片的逆向模拟 | 第34-48页 |
| 3.3.1 芯片SEM测试结果的分析 | 第34-38页 |
| 3.3.2 根据SEM测试结果的模拟仿真 | 第38-42页 |
| 3.3.3 场限环结构的分析与优化 | 第42-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 新型结终端结构的研究 | 第49-58页 |
| 4.1 新型沟槽终端结构 | 第49-52页 |
| 4.2 其他工作 | 第52-57页 |
| 4.2.1 结终端的工艺 | 第52-53页 |
| 4.2.2 结终端的版图 | 第53-54页 |
| 4.2.3 芯片腐蚀 | 第54-56页 |
| 4.2.4 芯片失效分析的流程 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结束语 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第65-66页 |