| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 选题背景和研究意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 本文的主要内容和结构 | 第13-15页 |
| 第二章 IGBT器件结构和核辐射基本理论 | 第15-33页 |
| 2.1 IGBT器件基本类型与原理简介 | 第15-19页 |
| 2.1.1 NPT型IGBT | 第15-17页 |
| 2.1.2 PT型IGBT | 第17-18页 |
| 2.1.3 Trench型IGBT | 第18-19页 |
| 2.2 辐射环境和损伤机制 | 第19-24页 |
| 2.2.1 常见辐射环境 | 第19-21页 |
| 2.2.2 位移损伤机制 | 第21-23页 |
| 2.2.3 电离辐射损伤机制 | 第23-24页 |
| 2.3 电离辐射对器件作用 | 第24-28页 |
| 2.3.1 总剂量效应 | 第25-26页 |
| 2.3.2 单粒子效应 | 第26-28页 |
| 2.4 辐射参数的量化与其在TCAD软件中的模拟方式 | 第28-32页 |
| 2.4.1 量化方式 | 第28-30页 |
| 2.4.2 参数导入方式 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 IGBT辐射效应研究 | 第33-52页 |
| 3.1 IGBT的单粒子效应研究 | 第33-47页 |
| 3.1.2 单粒子入射对NPT-IGBT的影响 | 第34-39页 |
| 3.1.3 单粒子入射对PT型IGBT的影响 | 第39-41页 |
| 3.1.4 单粒子入射对Trench-IGBT的影响 | 第41-43页 |
| 3.1.5 LCLCR对IGBT抗单粒子辐照的影响 | 第43-46页 |
| 3.1.6 加固方向 | 第46-47页 |
| 3.2 IGBT结终端总剂量效应研究 | 第47-51页 |
| 3.2.1 常规结终端结构 | 第47-50页 |
| 3.2.2 双侧交错场板结终端结构 | 第50-51页 |
| 3.3 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 高压IGBT器件设计 | 第52-74页 |
| 4.1 IGBT元胞设计 | 第52-65页 |
| 4.1.1 阻断特性仿真 | 第52-56页 |
| 4.1.2 导通特性仿真 | 第56-61页 |
| 4.1.3 动态特性设计 | 第61-64页 |
| 4.1.4 抗辐照仿真分析 | 第64-65页 |
| 4.2 高耐压终端设计 | 第65-70页 |
| 4.2.1 IGBT结终端仿真优化 | 第65-66页 |
| 4.2.2 IGBT结终端总剂量效应研究 | 第66-70页 |
| 4.3 工艺与版图 | 第70-71页 |
| 4.4 初步测试结果 | 第71-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 5.1 本文工作总结 | 第74-75页 |
| 5.2 工作展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第81-82页 |
