摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
符号对照表 | 第12-13页 |
缩略语对照表 | 第13-17页 |
第一章 绪论 | 第17-25页 |
1.1 研究背景及意义 | 第17-19页 |
1.2 ESD设计的基本概念 | 第19-21页 |
1.3 ESD研究历史及现状 | 第21-23页 |
1.4 本论文主要工作内容 | 第23-24页 |
1.5 本论文的结构安排 | 第24-25页 |
第二章 ESD的基本保护理论 | 第25-35页 |
2.1 ESD的放电模式 | 第25-31页 |
2.1.1 人体模型(HBM)及其防护等级 | 第25-28页 |
2.1.2 机器模型(MM)及其防护等级 | 第28-29页 |
2.1.3 器件充电模型(CDM)及其防护等级 | 第29-31页 |
2.2 ESD的失效类型和机理 | 第31-32页 |
2.2.1 硬失效 | 第31-32页 |
2.2.2 ESD的潜在性失效 | 第32页 |
2.3 ESD潜在性失效检测方法 | 第32-33页 |
2.4 本章小结 | 第33-35页 |
第三章 ESD器件的TLP测试原理与连续多脉冲瞬态仿真测试方法 | 第35-47页 |
3.1 ESD器件的测试 | 第35页 |
3.2 TLP测试原理 | 第35-36页 |
3.3 静电释放ESD器件的连续多脉冲瞬态仿真测试方法 | 第36-45页 |
3.3.1 SENTUROUS仿真工具及其仿真流程 | 第37-38页 |
3.3.2 静电释放ESD器件的连续多脉冲瞬态仿真测试方法的步骤与优点 | 第38-39页 |
3.3.3 静电释放ESD器件的连续多脉冲瞬态仿真测试方法的仿真应用 | 第39-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 ESD器件的分析与设计 | 第47-67页 |
4.1 二极管的分析与设计 | 第47-50页 |
4.2 MOSFET的分析与设计 | 第50-55页 |
4.3 基于硅控整流(SCR)保护器件的分析与设计 | 第55-66页 |
4.3.1 SCR器件基本机理分析 | 第55-56页 |
4.3.2 SCR几个重要参数简单理论分析 | 第56-59页 |
4.3.3 基于SCR结构的新型静电保护器件设计 | 第59-66页 |
4.4 本章小结 | 第66-67页 |
第五章 ESD模块可靠性检测静电测试单元设计 | 第67-83页 |
5.1 ESD模块可靠性检测静电测试单元的含义 | 第67-68页 |
5.2 ESD模块可靠性检测静电测试单元的设计方案 | 第68-69页 |
5.3 ESD模块可靠性检测静电测试单元的设计与仿真分析 | 第69-80页 |
5.3.1 漏电流提取模块 | 第69-72页 |
5.3.2 电压差模块 | 第72-76页 |
5.3.3 比较器模块 | 第76-79页 |
5.3.4 ESD模块可靠性检测静电测试单元物理版图设计与验证 | 第79-80页 |
5.4 本章小结 | 第80-83页 |
第六章 总结与展望 | 第83-85页 |
6.1 工作总结 | 第83-84页 |
6.2 工作展望 | 第84-85页 |
参考文献 | 第85-89页 |
致谢 | 第89-91页 |
作者简介 | 第91-92页 |