| 摘要 | 第2-3页 |
| ABSTRACT | 第3页 |
| 1 绪论 | 第11-13页 |
| 1.1 研究目的和意义 | 第11-12页 |
| 1.2 内容简介 | 第12-13页 |
| 2 MOCVD TIN 工艺的相关介绍 | 第13-22页 |
| 2.1 MOCVD 工艺的发展与应用 | 第13-18页 |
| 2.1.1 CVD 工作原理 | 第14-17页 |
| 2.1.2 MOCVD 的原理和优点 | 第17-18页 |
| 2.2 TiN 薄膜在半导体工艺中的发展与应用 | 第18-21页 |
| 2.2.1 Barrier 薄膜在BEOL 金属化中的应用状况 | 第18-19页 |
| 2.2.2 PVD 成膜方式的局限性 | 第19-21页 |
| 2.3 小结 | 第21-22页 |
| 3 实验方法 | 第22-37页 |
| 3.1 实验设备介绍 | 第22-29页 |
| 3.1.1 预除气腔原理 | 第22-23页 |
| 3.1.2 预清除腔原理 | 第23-24页 |
| 3.1.3 物理气相沉积腔原理和特点 | 第24-26页 |
| 3.1.4 金属化学气相淀积腔原理和特点 | 第26-29页 |
| 3.2 薄膜测量设备与原理 | 第29-36页 |
| 3.2.1 台阶覆盖性 | 第30-32页 |
| 3.2.2 薄膜厚度及均匀性 | 第32-33页 |
| 3.2.3 应力 | 第33-34页 |
| 3.2.4 方块电阻 | 第34页 |
| 3.2.5 颗粒污染 | 第34-35页 |
| 3.2.6 杂质含量 | 第35-36页 |
| 3.3 小结 | 第36-37页 |
| 4 TiN 薄膜成长性能分析 | 第37-48页 |
| 4.1 工艺参数对 TiN 淀积的基本影响 | 第37-43页 |
| 4.1.1 薄膜淀积的基本成长规律 | 第37-38页 |
| 4.1.2 工艺温度对TiN 薄膜淀积速率影响机制 | 第38-39页 |
| 4.1.3 腔内压力对应力的影响 | 第39页 |
| 4.1.4 等离子处理在MOCVD TIN 淀积中的作用与发生机制 | 第39-40页 |
| 4.1.5 含有等离子处理过程的MOCVD TiN 淀积工艺趋势 | 第40-43页 |
| 4.2 TiN 薄膜的稳定性 | 第43-44页 |
| 4.3 等离子处理的极限能力 | 第44-45页 |
| 4.4 薄膜的均匀性 | 第45-47页 |
| 4.5 小结 | 第47-48页 |
| 5 TIN 薄膜在实际应用中的性能 | 第48-63页 |
| 5.1 TiN 台阶覆盖性比较与优化 | 第48-53页 |
| 5.1.1 MOCVD 与PVD 台阶覆盖性数据分析 | 第48-50页 |
| 5.1.2 不同MOCVD 条件下台阶覆盖性的比较 | 第50-51页 |
| 5.1.3 MOCVD TiN 厚度优化 | 第51-52页 |
| 5.1.4 前工程条件改善 | 第52-53页 |
| 5.2 TiN 薄膜中的杂质与界面 | 第53-56页 |
| 5.3 Treatment 对方块电阻的改善 | 第56-57页 |
| 5.4 TiN 薄膜的重复性 | 第57-59页 |
| 5.5 TiN 薄膜的电学性能 | 第59-61页 |
| 5.6 小结 | 第61-63页 |
| 6 总结与展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 附录 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-71页 |
