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40纳米工艺下中继器的插入方法研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 课题来源及研究意义第12-13页
    1.3 本文主要工作第13-14页
    1.4 本文的组织结构第14-16页
第二章 中继器插入对互连线延时的优化第16-32页
    2.1 40 纳米工艺下的互连线延时第16-18页
    2.2 中继器对线长的优化实验第18-24页
        2.2.1 反相器链对线长的优化第18-21页
        2.2.2 缓冲器对线长的优化第21-22页
        2.2.3 缓冲器和反相器的比较第22-24页
    2.3 串扰的优化方法第24-30页
        2.3.1 互连串扰第24-25页
        2.3.2 串扰的预防第25页
        2.3.3 串扰延时的优化方法第25-30页
    2.4 本章小节第30-32页
第三章 中继器插入对互连总线延时的优化第32-43页
    3.1 问题描述第32-35页
    3.2 反相器的交错布局第35-37页
        3.2.1 逻辑上的变更第35-36页
        3.2.2 物理上的摆放第36-37页
    3.3 反相器链的规整布线第37-39页
        3.3.1 布线规划第37-38页
        3.3.2 实现流程图第38-39页
    3.4 结果分析第39-42页
    3.5 本章小节第42-43页
第四章 中继器插入对多扇出互连网络延时的优化第43-57页
    4.1 问题描述第43-44页
    4.2 线长预估第44-45页
    4.3 优化方法第45-50页
        4.3.1 实现难点第46页
        4.3.2 实现方法第46-48页
        4.3.3 具体实现第48-50页
    4.4 结果评估第50-55页
    4.5 本章小结第55-57页
第五章 总结与展望第57-59页
    5.1 总结第57页
    5.2 展望第57-59页
致谢第59-61页
参考文献第61-64页
作者在学期间取得的学术成果第64页

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