| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 半导体氧化物气体传感器 | 第11-18页 |
| 1.2.1 半导体氧化物气体传感器概述 | 第11-14页 |
| 1.2.2 半导体氧化物传感器的敏感机理 | 第14-16页 |
| 1.2.3 影响半导体氧化物传感性能的主要因素 | 第16-17页 |
| 1.2.4 半导体氧化物敏感材料开发和改性 | 第17-18页 |
| 1.3 SnO_2基复合敏感材料简介 | 第18-24页 |
| 1.3.1 SnO_2敏感材料的性质概述 | 第18-19页 |
| 1.3.2 SnO_2敏感材料的制备方法 | 第19-20页 |
| 1.3.3 SnO_2基复合材料的中空结构设计 | 第20-21页 |
| 1.3.4 基于SnO_2复合材料气体传感器的研究进展 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第24-25页 |
| 第二章 中空CeO_2/SnO_2异质结构纳米球的制备及气敏特性的研究 | 第25-40页 |
| 2.1 实验部分 | 第25-27页 |
| 2.1.1 材料的制备 | 第25页 |
| 2.1.2 材料的表征 | 第25-26页 |
| 2.1.3 气敏元件的制作及气敏特性测试系统 | 第26-27页 |
| 2.2 结果与讨论 | 第27-38页 |
| 2.2.1 材料微观结构和形貌表征 | 第27-30页 |
| 2.2.2 材料组成成分分析 | 第30-33页 |
| 2.2.3 气敏特性测试结果 | 第33-36页 |
| 2.2.4 CeO_2/SnO_2的增感机理讨论 | 第36-38页 |
| 2.3 小结 | 第38-40页 |
| 第三章 中空ZnO/SnO_2异质结构纳米球的制备及其气敏特性的研究 | 第40-53页 |
| 3.1 实验部分 | 第40-41页 |
| 3.1.1 材料的制备 | 第40-41页 |
| 3.1.2 材料的表征 | 第41页 |
| 3.1.3 气敏元件的制作及气敏特性测试系统 | 第41页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第41-51页 |
| 3.2.1 材料微观结构和形貌表征 | 第41-44页 |
| 3.2.2 材料组成成分分析 | 第44-45页 |
| 3.2.3 气敏特性测试结果 | 第45-50页 |
| 3.2.4 ZnO/SnO_2复合材料的增感机理 | 第50-51页 |
| 3.3 小结 | 第51-53页 |
| 第四章 结论与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 作者简介 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
