| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN基器件的研究现状与当前存在的主要问题 | 第12-20页 |
| 1.2.1 GaN基耐压器件的研究现状与当前存在的主要问题 | 第12-17页 |
| 1.2.2 GaN基微波器件的研究现状与当前存在的主要问题 | 第17-20页 |
| 1.3 本文的研究内容与结构安排 | 第20-21页 |
| 第二章 氮化物材料的性质和GaN基器件的原理 | 第21-33页 |
| 2.1 氮化物材料的极化效应 | 第21-24页 |
| 2.2 GaN异质结中的二维电子气形成的机理 | 第24-26页 |
| 2.3 GaN基器件的工作原理 | 第26-31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 电偶极层GaN基耐压新结构研究 | 第33-46页 |
| 3.1 电偶极层结构的简介 | 第33-34页 |
| 3.2 GaN基DL_HEMT器件结构及物理模型 | 第34-37页 |
| 3.3 GaN基DL_HEMT器件的输出特性和击穿特性仿真 | 第37-38页 |
| 3.4 GaN基DL_HEMT器件的结构参数优化 | 第38-44页 |
| 3.4.1 电偶极层与栅极之间的距离LGD的优化仿真 | 第39-40页 |
| 3.4.2 电偶极层的Al组分优化仿真 | 第40-42页 |
| 3.4.3 电偶极层长度L_D的优化仿真 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 复合栅介质层GaN基微波器件研究 | 第46-58页 |
| 4.1 GaN基CGD器件的器件结构及原理分析 | 第47-50页 |
| 4.2 GaN基CGD器件的基本特性仿真 | 第50-54页 |
| 4.2.1 直流特性仿真 | 第50-52页 |
| 4.2.2 频率特性仿真 | 第52-54页 |
| 4.3 GaN基CGD器件的结构参数优化 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第58-60页 |
| 5.1 全文总结 | 第58-59页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67-68页 |
