| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 自旋电子学及其应用 | 第8-10页 |
| 1.1.1 自旋电子业的发展 | 第8页 |
| 1.1.2 基于自旋的电子器件现状 | 第8-10页 |
| 1.2 稀磁半导体及其发展现状 | 第10-12页 |
| 1.3 宽禁带氧化铁磁半导体及其发展现状 | 第12-13页 |
| 1.4 CoO半导体的研究现状 | 第13-16页 |
| 1.5 本文的研究目的及内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第16-17页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第17-18页 |
| 第二章 理论方法与计算软件 | 第18-28页 |
| 2.1 第一性原理简介 | 第18-19页 |
| 2.2 密度泛函理论简介 | 第19-23页 |
| 2.2.1 局域密度近似 (LDA) | 第21-23页 |
| 2.2.2 广义梯度近似(GGA)与(PBE-GGA) | 第23页 |
| 2.3 计算软件 | 第23-28页 |
| 2.3.1 Materials Studio简介 | 第23-24页 |
| 2.3.2 Origin简介 | 第24-26页 |
| 2.3.3 计算软件VASP简介 | 第26-27页 |
| 2.3.4 第一性原理计算流程 | 第27-28页 |
| 第三章 过渡金属元素La掺杂CoO的磁性与电子结构 | 第28-38页 |
| 3.1 计算模型与参数设置 | 第28-29页 |
| 3.2 不同浓度La掺杂CoO的磁性和电子结构 | 第29-33页 |
| 3.3 不同近似方法对La掺杂CoO的磁性与电子结构的影响 | 第33-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 不同过渡金属元素掺杂CoO的磁性与电子结构 | 第38-47页 |
| 4.1 计算模型与参数设置 | 第38-39页 |
| 4.2 过渡金属元素掺杂CoO的电子结构 | 第39-44页 |
| 4.3 过渡金属元素掺杂CoO的磁性 | 第44-46页 |
| 4.4 归纳与总结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论与展望 | 第47-49页 |
| 5.1 本文的主要结论 | 第47页 |
| 5.2 主要创新点 | 第47页 |
| 5.3 后续研究工作的展望 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
