| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| ·功率器件概述 | 第8-10页 |
| ·Trench MOSFET 的发展 | 第10-13页 |
| ·ESD 保护栅结构的功率MOSFET 发展现状 | 第13页 |
| ·本文工作以及内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 Trench MOSFET的理论介绍 | 第15-25页 |
| ·Trench MOSFET 的基本结构 | 第15页 |
| ·Trench MOSFET 的工作原理 | 第15-16页 |
| ·Trench MOSFET 的I-V 特性分析 | 第16-17页 |
| ·Trench MOSFET 的主要特性参数 | 第17-22页 |
| ·导通电阻与栅电容的最佳化设计 | 第22-23页 |
| ·终端结构的考虑 | 第23-25页 |
| 第三章 ESD保护栅结构的实现理论介绍 | 第25-34页 |
| ·ESD 简介 | 第25页 |
| ·ESD 的基本模型 | 第25-29页 |
| ·ESD 保护结构在MOSFET 中的实现 | 第29-32页 |
| ·ESD 保护结构对MOSFET 性能的影响 | 第32-34页 |
| 第四章 带有ESD保护的20V N沟道Trench MOSFET的设计实现 | 第34-50页 |
| ·设计指标 | 第34-35页 |
| ·单胞结构设计 | 第35-36页 |
| ·外延片的选用 | 第36-38页 |
| ·终端结构设计 | 第38页 |
| ·ESD 保护结构的设计 | 第38-39页 |
| ·版图设计 | 第39-43页 |
| ·工艺流程 | 第43-44页 |
| ·工艺及参数模拟 | 第44-45页 |
| ·工艺流片的测试以及CP 数据分析 | 第45-50页 |
| 第五章 晶圆封装以及成品的测试分析 | 第50-55页 |
| ·封装简介 | 第50页 |
| ·封装流程 | 第50页 |
| ·封装形式 | 第50-51页 |
| ·成品的直流测试 | 第51-52页 |
| ·封装良率情况 | 第52页 |
| ·成品动态测试和ESD 的测试 | 第52-54页 |
| ·封装小节 | 第54-55页 |
| 第六章 总结以及展望 | 第55-56页 |
| ·总结 | 第55页 |
| ·展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-59页 |
| 作者在攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |