| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·集成电路发展规律与可靠性研究的意义 | 第12-14页 |
| ·研究的现状及展望 | 第14-16页 |
| ·本论文中研究工作 | 第16-20页 |
| 第二章 深亚微米器件模型及电路仿真器 | 第20-33页 |
| ·深亚微米CMOS器件基本结构 | 第20-23页 |
| ·SPICE电路仿真器与BSIM3器件模型 | 第23-27页 |
| ·Cadence模拟电路仿真环境 | 第27-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 深亚微米CMOS器件退化建模 | 第33-56页 |
| ·热载流子注入(HCI)退化机制的器件模型 | 第33-44页 |
| ·深亚微米MOSFET的HCI退化 | 第33-35页 |
| ·幸运电子模型 | 第35-37页 |
| ·深亚微米nMOSFET的电流模型 | 第37-40页 |
| ·衬底电流模型 | 第37-38页 |
| ·栅电流模型 | 第38-40页 |
| ·深亚微米pMOSFET的退化栅电流模型 | 第40-41页 |
| ·深亚微米MOSFET的退化模型 | 第41-44页 |
| ·nMOSFET的HCI退化模型 | 第42-43页 |
| ·pMOSFET的HCI退化模型 | 第43-44页 |
| ·薄栅氧化层失效机制(TDDB)的器件模型 | 第44-47页 |
| ·TDDB击穿机制 | 第45页 |
| ·深亚微米MOSFET的TDDB统计模型, | 第45-46页 |
| ·基于TDDB统计模型的电路累计失效率模型 | 第46-47页 |
| ·pMOSFET的负栅压偏置温度不稳定性(NBTI)退化模型 | 第47-55页 |
| ·深亚微米pMOSFET的SNBTI退化模型建模 | 第49-52页 |
| ·对DNBTI退化的建模 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第四章 深亚微米电路可靠性仿真方法研究 | 第56-79页 |
| ·电路可靠性仿真方法概述 | 第56-59页 |
| ·VLSI可靠性计算机评价方法及其重要性 | 第56-57页 |
| ·SoC系统的VLSI分层可靠性评价策略 | 第57-58页 |
| ·器件级电路仿真的基本内容和方法 | 第58-59页 |
| ·电路退化和寿命仿真方法 | 第59-65页 |
| ·HCI的退化和寿命仿真方法 | 第59-64页 |
| ·nMOSFET热载流子退化寿命的评估 | 第59-60页 |
| ·电路中nMOSFET的Age参数表计算 | 第60-61页 |
| ·pMOSFET的HCI退化寿命评估 | 第61-63页 |
| ·电路中pMOSFET的老化参数表计算 | 第63-64页 |
| ·TDDB的失效率仿真及可靠性寿命预测 | 第64页 |
| ·NBTI的退化仿真和寿命预测 | 第64-65页 |
| ·退化电路的工作性能仿真 | 第65-77页 |
| ·采用△I_d模型描述的优越性 | 第65-66页 |
| ·△I_d模型物理过程描述 | 第66-68页 |
| ·采用△I_d模型的建模过程 | 第68-76页 |
| ·已有的△I_d模型 | 第68-69页 |
| ·正向模型线性区模型 | 第69-71页 |
| ·正向模式饱和区模型 | 第71页 |
| ·反向模式下线性区和饱和区△I_d模型 | 第71页 |
| ·双向漏电流退化模型 | 第71-72页 |
| ·在亚阈、线性、饱和区域全域连续平滑的双向△I_d模型 | 第72-75页 |
| ·△I_d模型在电路可靠性仿真器中的实现方法 | 第75-76页 |
| ·△I_d模型的应用 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 深亚微米器件可靠性退化模型全域最优化提取方法 | 第79-97页 |
| ·深亚微米器件模型的参数提取方法 | 第79-82页 |
| ·可靠性应力测量方法 | 第82-86页 |
| ·HCI和NBTI的测试流程和测试要求 | 第82-84页 |
| ·TDDB退化模型参数测试方法和要求 | 第84-86页 |
| ·深亚微米器件可靠性模型参数多目标全域优化提取 | 第86-90页 |
| ·深亚微米器件可靠性模型参数提取实验与应用比较 | 第90-94页 |
| ·HCI退化的参数提取 | 第90-94页 |
| ·TDDB失效率模型的参数提取 | 第94页 |
| ·可靠性参数提取工具OPTIMRel简介 | 第94-96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第六章 超深亚微米电路可靠性评价系统的设计与实现 | 第97-128页 |
| ·半导体集成电路可靠性仿真平台设计概述 | 第97-99页 |
| ·创建半导体集成电路可靠性仿真平台的必要性 | 第97-98页 |
| ·基于构件和软件体系结构设计的IC可靠性评价平台实现 | 第98页 |
| ·本论文中可靠性算法的集成 | 第98-99页 |
| ·集成电路可靠性分析系统软件体系结构设计 | 第99-112页 |
| ·软件体系结构定义及其基于UML语法的描述 | 第99-105页 |
| ·特定领域软件体系结构(DSSA)设计方法 | 第105-106页 |
| ·系统需求分析模型 | 第106-109页 |
| ·可靠性分析系统的体系结构设计 | 第109-112页 |
| ·集成电路可靠性分析系统的软件设计和实现方法 | 第112-122页 |
| ·基于体系结构的软件设计方法 | 第112-113页 |
| ·IC可靠性分析系统构件及设计工具选择 | 第113-115页 |
| ·可靠性分析系统的核心数据结构设计 | 第115-116页 |
| ·集成电路的可靠性分析算法与实现 | 第116-122页 |
| ·XDRT集成电路分析系统简介 | 第122-126页 |
| ·VLSI可靠性仿真设计与应用比较 | 第126页 |
| ·本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 总结 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-140页 |
| 博士研究生期间的研究成果 | 第140-141页 |
| 附录A 基于流函数方程nMOS器件电流密度函数推导 | 第141-144页 |
