| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·研究背景及国内外发展现状 | 第10-12页 |
| ·课题的研究目的及意义 | 第12-13页 |
| ·高介电常数材料 | 第13-15页 |
| ·高K材料能够降低 SiO_2栅介质的量子隧穿效应 | 第13-14页 |
| ·高e 栅介质材料的特性需求和性能考虑 | 第14-15页 |
| ·研究特点、内容 | 第15-17页 |
| 第2章 原子模拟、分子动力学方法 | 第17-26页 |
| ·原子模拟的原理和方法 | 第17-22页 |
| ·核－壳模型 | 第17-18页 |
| ·电子极化 | 第18页 |
| ·晶体中离子的相互作用 | 第18-19页 |
| ·计算晶格能的方法 | 第19-21页 |
| ·能量最小化方法 | 第21-22页 |
| ·分子动力学方法简介 | 第22-24页 |
| ·分子动力学基本假设和原理 | 第22-23页 |
| ·分子动力学模拟的边界条件 | 第23页 |
| ·分子动力学基本算法 | 第23-24页 |
| ·计算程序 | 第24-25页 |
| ·原子模拟成果举例 | 第25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第3章 Si 掺杂 HfO_2的晶格结构 | 第26-33页 |
| ·HfO_2的晶格常数 | 第26-29页 |
| ·HfO_2和 SiO_2的结构特点 | 第26-28页 |
| ·晶格常数 | 第28-29页 |
| ·键长键角的变化 | 第29-30页 |
| ·弹性常数 | 第30-33页 |
| 第4章 Si 掺杂 HfO_2的热学性质 | 第33-48页 |
| ·比热容 | 第33-34页 |
| ·格林文森参数研究的意义 | 第34-35页 |
| ·热膨胀系数 | 第35-40页 |
| ·热膨胀的基本理论 | 第35-36页 |
| ·膨胀系数与物理量的关系 | 第36-37页 |
| ·影响热膨胀的因素 | 第37-40页 |
| ·声子态密度 | 第40-42页 |
| ·德拜温度 | 第42-45页 |
| ·HfO_2表面“类液”结构 | 第45-48页 |
| ·HfO_2晶格常数的计算 | 第46页 |
| ·均方位移(mean squared displacement,MSD) | 第46-48页 |
| 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第54页 |