| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料和新型碳化硅 MESFETs 的优势及其研究意义 | 第7-9页 |
| ·研究现状及存在的问题 | 第9-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 4H-SiC MESFET基本模型和器件特性 | 第13-23页 |
| ·ISE TCAD 模拟中的模型和参数选取 | 第13-15页 |
| ·ISE TCAD 简介 | 第13页 |
| ·算法的设置 | 第13-14页 |
| ·基本方程 | 第14-15页 |
| ·4H-SiC MESFET基本模型和研究方法 | 第15-21页 |
| ·材料特性的模型和参数 | 第15-19页 |
| ·边界条件 | 第19-20页 |
| ·表面陷阱对4H-SiC MESFET 性能的影响 | 第20-21页 |
| ·本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 埋栅-埋沟4H-SiC MESFET直流特性 | 第23-38页 |
| ·表面陷阱对普通结构MESFET直流特性的影响 | 第23-25页 |
| ·表面陷阱对普通结构MESFET输出特性的影响 | 第23-24页 |
| ·表面陷阱对普通结构MESFET转移特性曲线的影响 | 第24-25页 |
| ·埋栅-埋沟4H-SiC MESFET的直流特性 | 第25-32页 |
| ·埋栅-埋沟4H-SiC MESFET模型的建立 | 第25-26页 |
| ·直流特性的模拟和最佳n-buffer层厚度的确定 | 第26-32页 |
| ·影响埋栅-埋沟4H-SiC MESFET的直流特性各种因素 | 第32-36页 |
| ·杂质的不完全离化对直流特性的影响 | 第32-35页 |
| ·温度对直流特性的影响 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 埋栅-埋沟4H-SiC MESFET交流小信号特性 | 第38-46页 |
| ·小信号正弦稳态分析方法和参数 | 第38-41页 |
| ·交流小信号分析方法 | 第38-40页 |
| ·交流小信号的参数描述 | 第40-41页 |
| ·埋栅-埋沟4H-SiC MESFET交流小信号特性 | 第41-45页 |
| ·器件结构 | 第41-42页 |
| ·模拟结果 | 第42-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第五章 总结和展望 | 第46-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-54页 |
| 硕士期间参加课题 | 第54-55页 |
