| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-19页 |
| ·研究背景 | 第12-14页 |
| ·国内外相关研究 | 第14-17页 |
| ·课题的研究内容 | 第17-18页 |
| ·本文的组织结构 | 第18-19页 |
| 第二章 SOI 工艺的I/O PAD 理论分析 | 第19-31页 |
| ·I/O PAD 基本理论 | 第19-23页 |
| ·输入缓冲器 | 第20-21页 |
| ·输出缓冲器 | 第21-22页 |
| ·双向缓冲器 | 第22页 |
| ·保护电路 | 第22-23页 |
| ·SOI工艺与SOI 器件原理 | 第23-26页 |
| ·SOI工艺简介 | 第23-25页 |
| ·SOI器件及特点 | 第25-26页 |
| ·I/O PAD 中的ESD 测试方法分析 | 第26-30页 |
| ·静电放电模式 | 第26-28页 |
| ·ESD 的测试方法 | 第28-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 第三章 SOI 工艺的I/O 的逻辑设计和验证 | 第31-43页 |
| ·SOI 工艺的I/O PAD 逻辑设计 | 第31-36页 |
| ·设计要求分析 | 第31页 |
| ·双向PAD 的逻辑设计 | 第31-33页 |
| ·输入PAD 的逻辑设计 | 第33-34页 |
| ·输出PAD 的逻辑设计 | 第34-35页 |
| ·电源PAD 的逻辑设计 | 第35-36页 |
| ·SOI 工艺的I /O 电路中的ESD 保护电路设计与实验 | 第36-41页 |
| ·SOI工艺中GGNMOS 结构的ESD 保护电路 | 第37-38页 |
| ·SOI工艺中GCNMOS 结构（栅耦合技术）的ESD 保护电路 | 第38-40页 |
| ·SOI工艺中动态栅极悬浮ESD 保护电路 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 SOI 工艺的I/O 版图设计和验证 | 第43-59页 |
| ·/ /O 接口电路版图设计技术 | 第43-46页 |
| ·叉指晶体管 | 第43-44页 |
| ·对称性与匹配 | 第44-45页 |
| ·ESD 保护电路和抗闩锁效应版图设计 | 第45-46页 |
| ·SOI 工艺I/O PAD 的版图设计 | 第46-51页 |
| ·SOI工艺的双向PAD 的版图设计 | 第46-47页 |
| ·SOI工艺的输入PAD 的版图设计 | 第47-48页 |
| ·SOI工艺的输出PAD 的版图设计 | 第48页 |
| ·SOI工艺的电源、地源、Pfiller、Pcorner 的版图设计 | 第48-51页 |
| ·版图性能总结 | 第51页 |
| ·SOI工艺的I/O PAD 的模拟验证及特征化 | 第51-55页 |
| ·抗辐照加固设计 | 第55-58页 |
| ·SOI工艺中的辐照损伤 | 第56页 |
| ·抗辐照加固设计 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第五章 SOI 工艺的I/O 的测试方案和应用 | 第59-66页 |
| ·I/O PAD 的功能测试方法研究 | 第59-61页 |
| ·I/O PAD 的性能测试方法研究 | 第61-62页 |
| ·I/O PAD 的ESD 能力测试方案 | 第62-63页 |
| ·I/O 单元的应用 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-68页 |
| ·工作总结 | 第66页 |
| ·工作展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-71页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第71页 |
