| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第10页 |
| 1.2 国内外研究现状和发展趋势 | 第10-12页 |
| 1.2.1 硅基移相器 | 第10-11页 |
| 1.2.2 硅基放大器 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要内容与贡献 | 第12页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第12-14页 |
| 第二章 移相器与放大器的基本理论 | 第14-26页 |
| 2.1 移相器的基本理论 | 第14-19页 |
| 2.1.1 移相器的分类与各类移相器的特点 | 第14-18页 |
| 2.1.2 移相器的性能参数与各类指标 | 第18-19页 |
| 2.2 放大器的基本理论 | 第19-25页 |
| 2.2.1 线性功率放大器 | 第19-22页 |
| 2.2.2 开关类功率放大器 | 第22页 |
| 2.2.3 功率放大器的性能参数与各类指标 | 第22-25页 |
| 2.3 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 硅基数字移相器的设计 | 第26-49页 |
| 3.1 数字移相器的设计的总体思路 | 第26页 |
| 3.2 基于IBMSiGeBiCMOS0.35umKu波段六位数字移相器的设计 | 第26-40页 |
| 3.2.1 各个单元移相器设计 | 第27-37页 |
| 3.2.2 六位数字移相器的级联与整体版图设计 | 第37-40页 |
| 3.3 基于GF55nmCMOS工艺的四位数字移相器设计 | 第40-48页 |
| 3.3.1 管子的选取 | 第40-41页 |
| 3.3.2 小相位设计 | 第41-44页 |
| 3.3.3 大相位设计 | 第44-46页 |
| 3.3.4 四位数字移相器的级联与整体版图设计 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 硅基功率放大器设计 | 第49-60页 |
| 4.1 设计目标 | 第49页 |
| 4.2 放大器电路设计 | 第49-58页 |
| 4.2.1 功率放大器的整体设计 | 第49-50页 |
| 4.2.2 功率晶体管的确定 | 第50-51页 |
| 4.2.3 偏置的设计 | 第51-52页 |
| 4.2.4 稳定性分析 | 第52-53页 |
| 4.2.5 负载牵引设计 | 第53-55页 |
| 4.2.6 匹配网络设计 | 第55-57页 |
| 4.2.7 实际级联电路 | 第57-58页 |
| 4.3 版图设计 | 第58-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第60-61页 |
| 5.1 全文总结与展望 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第67页 |