首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文--光刻、掩膜论文

MEMS温度传感器中ICP刻蚀技术研究

致谢第7-8页
搞要第8-9页
ABSTRACT第9页
第一章 绪论第15-23页
    1.1 MEMS简介第15-18页
    1.2 MEMS研究现状第18-20页
        1.2.1 国外发展现状第18-20页
        1.2.2 国内发展现状第20页
    1.3 MEMS的应用与展望第20-21页
        1.3.1 MEMS的应用第20-21页
        1.3.2 MEMS的前景展望第21页
    1.4 本文的研究目的和内容第21-23页
第二章 MEMS电容式温度传感器第23-34页
    2.1 MEMS温度传感器的分类与工作原理第23-26页
        2.1.1 MEMS电容式温度传感器第23-24页
        2.1.2 MEMS谐振式温度传感器第24-25页
        2.1.3 MEMS压阻式温度传感器第25-26页
    2.2 MEMS差分电容式温度传感器结构第26-27页
    2.3 差分电容传感器的分析与仿真第27-32页
        2.3.1 结构梁模型分析第27-29页
        2.3.2 灵敏度分析第29-31页
        2.3.3 灵敏度仿真第31-32页
        2.3.4 有限元分析第32页
    2.4 外围检测电路第32-33页
    2.5 本章小结第33-34页
第三章 MEMS制造工艺与该传感器的制作第34-50页
    3.1 集成电路工艺技术第34-42页
        3.1.1 光刻技术第34-37页
        3.1.2 薄膜淀积第37-40页
        3.1.3 掺杂第40-42页
        3.1.4 化学机械抛光第42页
    3.2 表面微加工技术第42-43页
    3.3 体微加工技术第43-45页
        3.3.1 湿法刻蚀第43-44页
        3.3.2 干法刻蚀第44-45页
    3.4 特殊MEMS加工技术第45-47页
        3.4.1 LIGA技术第45-46页
        3.4.2 键合第46-47页
    3.5 差分电容式温度传感器的制备第47-48页
    3.6 本章小结第48-50页
第四章 电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术第50-64页
    4.1 引言第50-51页
    4.2 ICP刻蚀技术介绍第51-58页
        4.2.1 时分复用ICP刻蚀法第52-55页
        4.2.2 低温ICP刻蚀法第55-58页
    4.3 ICP刻蚀中常见的问题研究第58-63页
        4.3.1 侧壁光滑度问题第58-59页
        4.3.2 刻蚀速率问题第59页
        4.3.3 Footing效应第59-61页
        4.3.4 Lag效应第61-62页
        4.3.5 “Bowing”效应第62-63页
    4.4 本章小结第63-64页
第五章 ICP刻蚀实验与参数优化第64-73页
    5.1 引言第64页
    5.2 ICP刻蚀实验仪器第64-65页
    5.3 ICP刻蚀实验原理第65-66页
    5.4 实验与讨论第66-72页
        5.4.1 不同槽宽的深槽刻蚀工艺优化第66-67页
        5.4.2 5μm槽宽刻蚀工艺优化第67-69页
        5.4.3 2μm槽宽刻蚀工艺优化第69-70页
        5.4.4 10μm槽宽刻蚀工艺优化第70-71页
        5.4.5 深槽刻蚀参数优化的应用验证第71-72页
    5.5 实验结论第72页
    5.6 本章小结第72-73页
第六章 总结与展望第73-75页
    6.1 总结第73页
    6.2 展望第73-75页
参考文献第75-79页
攻读硕士期间发表的论文第79页

论文共79页,点击 下载论文
上一篇:喷墨印刷制备有机场效应晶体管的研究
下一篇:核心力量训练对提高初中生实心球成绩的实验研究