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半导体选择性外延在光刻对准上的应用研究

摘要第4-5页
abstract第5页
第一章 绪论第7-14页
    1.1 集成电路发展史及国内集成电路产业现状第7-10页
    1.2 集成电路工艺技术简介第10-12页
    1.3 半导体外延工艺简介第12页
    1.4 半导体光刻工艺简介第12-13页
    1.5 课题研究内容第13-14页
第二章 半导体外延工艺第14-26页
    2.1 半导体外延工艺在集成电路中的应用第14-17页
    2.2 半导体外延设备简介第17-18页
    2.3 半导体外延工艺流程第18-19页
    2.4 半导体外延层的生长原理第19-21页
    2.5 半导体选择性外延第21-22页
    2.6 半导体外延层生长中的缺陷第22-24页
    2.7 半导体外延层生长导致的图形漂移第24-26页
第三章 半导体光刻工艺第26-38页
    3.1 光刻概念第26-27页
    3.2 光刻设备简介第27-30页
    3.3 光刻胶以及光刻工艺的两种类型第30-32页
    3.4 半导体光刻工艺流程第32-35页
    3.5 光刻对准对光刻工艺的重要性第35-38页
第四章 图形漂移对光刻对准的影响和解决办法第38-53页
    4.1 图形漂移对光刻对准的影响第38-39页
    4.2 图形漂移的控制方法第39-40页
    4.3 利用选择性外延解决图形漂移对光刻对准的影响的方法第40-46页
    4.4 对实现选择性外延生长条件的研究第46-53页
第五章 结论和展望第53-55页
参考文献第55-59页
发表论文和科研情况说明第59-60页
致谢第60-61页

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