| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 1 引言 | 第11-17页 |
| 1.1 课题背景 | 第11-13页 |
| 1.1.1 半导体产业发展历程 | 第11页 |
| 1.1.2 集成电路技术发展趋势 | 第11-13页 |
| 1.2 接触孔刻蚀形貌的国内外现状及其工艺上的不足之处 | 第13-15页 |
| 1.3 0.6μm 接触孔形貌对于台阶覆盖率效果的研究目的 | 第15-17页 |
| 2 干法刻蚀工艺原理和工艺实验分析方法 | 第17-22页 |
| 2.1 干法刻蚀工艺原理 | 第17-20页 |
| 2.1.1 等离子体的形成和维持 | 第17页 |
| 2.1.2 等离子刻蚀物理化学机理 | 第17-18页 |
| 2.1.3 干法刻蚀的种类 | 第18-19页 |
| 2.1.4 干法刻蚀终点探测系统 | 第19-20页 |
| 2.2 工艺实验分析方法 | 第20-22页 |
| 2.2.1 材料表征分析技术 | 第20-21页 |
| 2.2.2 DOE 实验设计方法 | 第21-22页 |
| 3 0.6μm 接触孔刻蚀菜单的建立 | 第22-40页 |
| 3.1 0.6μm 接触孔刻蚀及溅射工艺的概述 | 第22-23页 |
| 3.2 各向同性接触孔刻蚀菜单的研究 | 第23-29页 |
| 3.2.1 设备腔室结构和刻蚀工艺参数的简单介绍 | 第23-24页 |
| 3.2.2 工艺参数对刻蚀品质的影响研究 | 第24-28页 |
| 3.2.3 总结 | 第28-29页 |
| 3.3 各向异性接触孔刻蚀菜单的建立 | 第29-36页 |
| 3.3.1 腔室结构及刻蚀工艺参数的简单介绍 | 第29-30页 |
| 3.3.2 设备基准刻蚀菜单的刻蚀评估 | 第30-31页 |
| 3.3.3 不同工艺参数对刻蚀孔形貌的影响 | 第31-36页 |
| 3.3.4 总结 | 第36页 |
| 3.4 酒杯形貌接触孔的构成及金属填充的初步效果 | 第36-40页 |
| 3.4.1 基准刻蚀菜单形成的酒杯形接触孔的金属填充效果 | 第36-38页 |
| 3.4.2 不同纵横比各向同性接触孔的金属填孔效果 | 第38-39页 |
| 3.4.3 总结 | 第39-40页 |
| 4 优化0.6μm 接触孔的填孔效果 | 第40-60页 |
| 4.1 优化填孔效果的思路概述 | 第40页 |
| 4.2 降低尖角高度的方法 | 第40-44页 |
| 4.2.1 增大各向同性刻蚀比例 | 第40-42页 |
| 4.2.2 各向异性+各向同性+各向异性三步刻蚀孔的方法[8] | 第42-43页 |
| 4.2.3 总结 | 第43-44页 |
| 4.3 减小尖角尖锐度的方法 | 第44-45页 |
| 4.4 倒角方法 | 第45-50页 |
| 4.4.1 DOE 实验设计方案 | 第46页 |
| 4.4.2 DOE 实验结果 | 第46-48页 |
| 4.4.3 金属填充效果 | 第48-49页 |
| 4.4.4 Soft Etch | 第49-50页 |
| 4.4.5 总结 | 第50页 |
| 4.5 接触电阻的测量评估 | 第50-53页 |
| 4.5.1 接触电阻测试结构介绍 | 第51页 |
| 4.5.2 三组方案的接触电阻评估结果 | 第51-53页 |
| 4.6 刻蚀工艺窗口的确认 | 第53-60页 |
| 4.6.1 各向同性刻蚀菜单工艺窗口的确认 | 第54-56页 |
| 4.6.2 各向异性刻蚀菜单工艺窗口的确认 | 第56-57页 |
| 4.6.3 倒角刻蚀菜单工艺窗口确认 | 第57-60页 |
| 5 结论 | 第60-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 附录1 相关术语 | 第65-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第68-70页 |
