| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 研究背景 | 第10页 |
| 1.2 有机薄膜晶体管的发展 | 第10-12页 |
| 1.3 氧化物介电层有机薄膜晶体管的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 有机薄膜晶体管存在的问题 | 第13页 |
| 1.5 本论文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 有机薄膜晶体管的基础理论 | 第15-34页 |
| 2.1 有机薄膜晶体管结构 | 第15-20页 |
| 2.1.1 单栅结构 | 第15-18页 |
| 2.1.2 双栅结构 | 第18-20页 |
| 2.1.3 垂直通道结构 | 第20页 |
| 2.2 有机薄膜晶体管工作原理 | 第20-21页 |
| 2.3 OTFT模型 | 第21-24页 |
| 2.3.1 DC模型 | 第21-22页 |
| 2.3.2 电荷漂移模型 | 第22-23页 |
| 2.3.3 亚阈值区域的电荷漂移模型 | 第23-24页 |
| 2.4 有机薄膜晶体管的主要性能参数 | 第24-27页 |
| 2.4.1 输出与转移特性曲线 | 第24-25页 |
| 2.4.2 载流子迁移率 | 第25-26页 |
| 2.4.3 阈值电压 | 第26页 |
| 2.4.4 开关电流比 | 第26-27页 |
| 2.4.5 亚阈值斜率 | 第27页 |
| 2.5 组成有机薄膜晶体管的材料 | 第27-33页 |
| 2.5.1 有机半导体材料 | 第27-30页 |
| 2.5.2 电极材料 | 第30-31页 |
| 2.5.3 栅绝缘层材料 | 第31-32页 |
| 2.5.4 衬底材料 | 第32-33页 |
| 2.6 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 ZrO_2介电层退火温度对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第34-53页 |
| 3.1 实验设计 | 第34-36页 |
| 3.2 器件的制备及测试 | 第36-43页 |
| 3.2.1 基片的清洗 | 第36-37页 |
| 3.2.2 绝缘层的制备 | 第37-39页 |
| 3.2.3 有源层薄膜的制备 | 第39-40页 |
| 3.2.4 电极的制备 | 第40-41页 |
| 3.2.5 器件的测试 | 第41-43页 |
| 3.3 实验结果及分析 | 第43-52页 |
| 3.3.1 退火温度对ZrO_2薄膜电学特性的影响 | 第43-44页 |
| 3.3.2 退火温度对器件性能的影响 | 第44-52页 |
| 3.4 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 ZrO_2介电层厚度对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第53-61页 |
| 4.1 实验设计 | 第53页 |
| 4.2 器件的制备及测试 | 第53-54页 |
| 4.3 实验结果与分析 | 第54-60页 |
| 4.3.1 ZrO_2介电层厚度对有机薄膜电学特性的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.2 绝缘层厚度对器件性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.4 总结 | 第60-61页 |
| 第五章 总结与展望 | 第61-62页 |
| 5.1 全文总结 | 第61页 |
| 5.2 展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 硕士在学期间的研究成果 | 第68-69页 |
