应用于三维集成封装的玻璃转接板的制备和测试
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-27页 |
| 1.1 MEMS封装概述 | 第9-10页 |
| 1.2 MEMS封装发展趋势 | 第10-11页 |
| 1.3 转接板技术 | 第11-21页 |
| 1.3.1 转接板技术概论 | 第11-14页 |
| 1.3.2 常见TGV制备工艺 | 第14-19页 |
| 1.3.3 玻璃转接板研究现状 | 第19-21页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第21页 |
| 参考文献 | 第21-27页 |
| 第二章 埋入器件型玻璃转接板的圆片级制备 | 第27-45页 |
| 2.1 工艺流程 | 第27-28页 |
| 2.2 埋入器件型玻璃转接板的制备 | 第28-40页 |
| 2.2.1 硅模具的制备 | 第28-30页 |
| 2.2.2 阳极键合 | 第30-31页 |
| 2.2.3 玻璃回流工艺分析 | 第31-38页 |
| 2.2.4 复合圆片CMP | 第38-40页 |
| 2.3 玻璃转接板再布线层(RDL)探究 | 第40-42页 |
| 2.3.1 剥离法制备再布线工艺流程 | 第40页 |
| 2.3.2 实验结果及其分析 | 第40-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 第三章 埋入器件型玻璃转接板的表征测试 | 第45-55页 |
| 3.1 玻璃转接板板级形貌的表征 | 第45-49页 |
| 3.1.1 圆片厚度测量 | 第45-46页 |
| 3.1.2 圆片平整度测量 | 第46-49页 |
| 3.2 高掺杂硅电阻率的测量与埋入器件结构表征 | 第49-52页 |
| 3.2.1 高掺杂硅电阻率的测量 | 第49-51页 |
| 3.2.2 埋入玻璃中器件结构表征 | 第51-52页 |
| 3.3 硅-玻璃结合强度探究 | 第52-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |
| 第四章 TGV的热-机械可靠性仿真 | 第55-63页 |
| 4.1 TGV热-机械可靠性论述 | 第55-56页 |
| 4.1.1 材料力学中的强度理论 | 第55-56页 |
| 4.1.2 TGV的热-机械应力研究现状 | 第56页 |
| 4.2 TGV热-机械应力仿真 | 第56-60页 |
| 4.2.1 建立有限元模型 | 第56-57页 |
| 4.2.2 仿真结果分析 | 第57-60页 |
| 4.3 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 本论文工作总结 | 第63页 |
| 5.2 进一步工作的展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-67页 |
| 作者简介 | 第67页 |
| 硕士期间取得的学术成果 | 第67页 |
