| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-9页 |
| 第1章 绪论 | 第20-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第20-22页 |
| 1.2 研究目的 | 第22-24页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第24-32页 |
| 1.3.1 基于等效模型的TSV电磁特性研究 | 第26-28页 |
| 1.3.2 基于多模式分析的TSV电磁特性研究 | 第28页 |
| 1.3.3 基于解析法的TSV阵列电磁特性研究 | 第28-29页 |
| 1.3.4 基于准静态半导体等效模型的TSV电磁特性研究 | 第29-31页 |
| 1.3.5 基于全波算法的TSV优化方法研究 | 第31页 |
| 1.3.6 基于TSV测试方法的研究 | 第31-32页 |
| 1.4 研究内容 | 第32-34页 |
| 1.5 组织结构 | 第34-35页 |
| 第2章 封装基板垂直结构快速优化算法研究 | 第35-64页 |
| 2.1 封装基板垂直结构的电源完整性问题 | 第35-41页 |
| 2.2 电源地阻抗二维镜像算法 | 第41-50页 |
| 2.2.1 镜像算法互阻抗验证 | 第44-46页 |
| 2.2.2 镜像算法自阻抗验证 | 第46-47页 |
| 2.2.3 镜像算法实验验证 | 第47-48页 |
| 2.2.4 镜像算法优势分析 | 第48-50页 |
| 2.3 电源地阻抗镜像-模式混合算法 | 第50-61页 |
| 2.3.1 电源地阻抗镜像-模式混合算法原理 | 第50-53页 |
| 2.3.2 镜像-模式混合算法实验验证 | 第53-55页 |
| 2.3.3 镜像-模式混合算法的收敛性分析 | 第55-60页 |
| 2.3.4 镜像-模式混合算法的效率分析 | 第60-61页 |
| 2.4 基于混合算法的复杂基板回路信号/电源完整性分析 | 第61-62页 |
| 2.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第3章 封装转接板内的TSV精确电磁特性建模 | 第64-98页 |
| 3.1 封装内转接板TSV的电磁特性问题 | 第64-65页 |
| 3.2 转接板内TSV基本模型 | 第65-76页 |
| 3.2.1 地-信号结构TSV模型 | 第65-73页 |
| 3.2.2 多TSV及多模式TSV模型 | 第73-76页 |
| 3.3 半导体载流子分布的寄生参数模型 | 第76-78页 |
| 3.4 TSV的金属-氧化层-半导体结构模型 | 第78-87页 |
| 3.5 TSV的金属-半导体接触结构模型 | 第87-94页 |
| 3.5.1 TSV的金属-半导体直接接触分析 | 第87-88页 |
| 3.5.2 TSV的欧姆接触模型 | 第88-92页 |
| 3.5.3 TSV的肖特基接触模型 | 第92-94页 |
| 3.6 基于半导体效应寄生参数的TSV精确模型分析 | 第94-97页 |
| 3.7 本章小结 | 第97-98页 |
| 第4章 基于MS直接接触模型的TSV屏蔽结构设计 | 第98-121页 |
| 4.1 转接板内TSV寄生参数问题 | 第98页 |
| 4.2 地TSV采用MS直接接触的四端口屏蔽结构设计与研究 | 第98-110页 |
| 4.2.1 接触电阻的理论建模与阈值分析 | 第99-105页 |
| 4.2.2 屏蔽效能的时域分析 | 第105-110页 |
| 4.3 TSV阵列的新型屏蔽结构设计 | 第110-113页 |
| 4.4 水平互连的新型屏蔽结构设计 | 第113-120页 |
| 4.4.1 水平RDL屏蔽结构 | 第114页 |
| 4.4.2 耦合串扰和插入损耗模型 | 第114-116页 |
| 4.4.3 耦合串扰场分析 | 第116页 |
| 4.4.4 新屏蔽结构的实验验证 | 第116-120页 |
| 4.5 本章小结 | 第120-121页 |
| 第5章 TSV测试方法研究与设计 | 第121-136页 |
| 5.1 TSV测试难点 | 第121页 |
| 5.2 TSV互连去嵌入算法 | 第121-128页 |
| 5.3 基于去嵌入算法的新型冗余屏蔽结构设计 | 第128-135页 |
| 5.4 本章小结 | 第135-136页 |
| 第6章 结论与展望 | 第136-140页 |
| 6.1 结论 | 第136-138页 |
| 6.2 未来展望 | 第138-140页 |
| 参考文献 | 第140-148页 |
| 个人简介 | 第148-149页 |
